中国科学院上海硅酸盐研究所柏胜强获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院上海硅酸盐研究所申请的专利一种用于抑制半赫斯勒热电材料表面氧化和挥发的涂层及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114335312B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111430310.3，技术领域涉及：H10N10/853；该发明授权一种用于抑制半赫斯勒热电材料表面氧化和挥发的涂层及其制备方法和应用是由柏胜强;顾津宇;王雷;宋庆峰;陈立东设计研发完成，并于2021-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于抑制半赫斯勒热电材料表面氧化和挥发的涂层及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明涉及一种用于抑制半赫斯勒热电材料表面氧化和挥发的涂层及其制备方法和应用。所述用于抑制半赫斯勒热电材料表面氧化和挥发的涂层依次包括原位形成半赫斯勒热电材料表面的AO2和B‑X混合层、B‑X化合物层和A、B和X的氧化物层；所述半赫斯勒热电材料的化学通式为ABX，其中A为Ti、Zr、Hf、Sc、Y、V、Nb、Ta中的至少一种，B为Fe、Ru、Os、Co、Rh、Ir、Ni、Pd、Pt中的至少一种，X为Sn、Sb、Bi中的至少一种。
本发明授权一种用于抑制半赫斯勒热电材料表面氧化和挥发的涂层及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种用于抑制半赫斯勒热电材料表面氧化和挥发的涂层，其特征在于，所述半赫斯勒热电材料的化学通式为ABX，其中A为Ti、Zr、Hf、Sc、Y、V、Nb、Ta中的至少一种，B为Fe、Ru、Os、Co、Rh、Ir、Ni、Pd、Pt中的至少一种，X为Sn、Sb、Bi中的至少一种； 所述涂层由里到外依次包括原位形成半赫斯勒热电材料表面的AO2和B-X混合层、B-X化合物层、以及由A的氧化物、B的氧化物和X的氧化物形成的混合层。
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