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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体存储装置和操作半导体存储装置的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112289367B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010469361.6，技术领域涉及：G11C29/42；该发明授权半导体存储装置和操作半导体存储装置的方法是由金尚玧;徐宁焄;权慧贞;李明奎;赵诚慧设计研发完成，并于2020-05-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体存储装置和操作半导体存储装置的方法在说明书摘要公布了：提供了半导体存储装置和操作半导体存储装置的方法。所述半导体存储装置包括存储单元阵列、ECC引擎、至少一个电压发生器和控制逻辑电路。所述存储单元阵列包括耦接到字线和位线的多个存储单元以及感测存储在所述多个存储单元中的数据的多个读出放大器。所述ECC引擎从所述存储单元阵列的目标页面读取存储数据，对所述存储数据执行ECC解码，基于所述ECC解码，检测所述存储数据中的错误，并输出与所述错误相关联的错误信息。所述至少一个电压发生器分别向所述多个读出放大器提供驱动电压。所述控制逻辑电路控制所述ECC引擎，以及基于包括所述错误信息的错误模式信息，控制所述至少一个电压发生器增大所述多个读出放大器中的每个读出放大器的操作容限。

本发明授权半导体存储装置和操作半导体存储装置的方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储装置，包括： 存储单元阵列，所述存储单元阵列包括耦接到字线和位线的多个存储单元以及被配置为感测存储在所述多个存储单元中的数据的多个读出放大器，其中，所述多个存储单元中的每个存储单元存储多位数据； 纠错码引擎，所述纠错码引擎被配置为： 从所述存储单元阵列的目标页面读取存储数据， 对所述存储数据执行纠错码解码， 基于所述纠错码解码，检测所述存储数据中的错误，并且 输出指示所述多位数据的错误模式的错误模式信息； 至少一个电压发生器，所述至少一个电压发生器被配置为分别向所述多个读出放大器提供驱动电压；以及 控制逻辑电路，所述控制逻辑电路被配置为： 控制所述纠错码引擎，以及 基于所述错误模式信息，控制所述至少一个电压发生器来增大所述多个读出放大器中的每个读出放大器的操作容限， 其中，所述纠错码引擎进一步被配置为： 对所述多个读出放大器中的第一读出放大器应用第一电荷共享操作以从所述目标页面的第一存储单元读取第一位，其中，所述第一电荷共享操作是基于增大后的操作容限执行的， 对所述第一读出放大器应用第二电荷共享操作以从所述目标页面的所述第一存储单元读取第二位，以及 对所述第一读出放大器应用第三电荷共享操作以将所述第一位和所述第二位恢复到所述目标页面的所述第一存储单元中。

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