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株式会社迪思科小柳将获国家专利权

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龙图腾网获悉株式会社迪思科申请的专利光器件层的移设方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN111834278B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202010315789.5,技术领域涉及:H01L21/683;该发明授权光器件层的移设方法是由小柳将设计研发完成,并于2020-04-21向国家知识产权局提交的专利申请。

光器件层的移设方法在说明书摘要公布了:提供光器件层的移设方法,将光器件层移设,在进行激光剥离时,能够抑制光器件向移设部件的转移率降低。将光器件层移设的移设方法包含移设部件接合步骤、缓冲层破坏步骤、光器件层转移步骤、粘接剂去除步骤以及光器件层移设步骤。在移设部件接合步骤中,将光器件晶片和移设部件借助粘接剂而接合,在光器件晶片的被分割成芯片尺寸的光器件层与光器件层之间的间隙中填充粘接剂。在粘接剂去除步骤中,将填充至光器件层与光器件层之间的间隙中的粘接剂的至少一部分去除,以使得通过移设部件接合步骤而埋设于粘接剂层的光器件层从粘接剂层突出。

本发明授权光器件层的移设方法在权利要求书中公布了:1.一种光器件层的移设方法,将光器件晶片的光器件层移设,该光器件晶片是将被分割成芯片尺寸的多个光器件层隔着缓冲层层叠在外延基板的正面上而得的,其中, 该光器件层的移设方法具有如下的步骤: 移设部件接合步骤,将该光器件晶片和移设部件借助粘接剂而接合,在该光器件晶片的被分割成芯片尺寸的光器件层与光器件层之间的间隙中填充该粘接剂; 缓冲层破坏步骤,在实施了该移设部件接合步骤之后,从接合有该移设部件的光器件晶片的外延基板的背面侧对缓冲层照射对于外延基板具有透过性且对于缓冲层具有吸收性的波长的脉冲激光光线,将缓冲层破坏; 光器件层转移步骤,在实施了该缓冲层破坏步骤之后,将该外延基板从该光器件层剥离,将层叠在该外延基板上的光器件层转移至该移设部件; 粘接剂去除步骤,在该光器件层转移步骤之后,将填充至光器件层与光器件层之间的间隙中的粘接剂的至少一部分去除,以使得通过该移设部件接合步骤而埋设于粘接剂层的该光器件层从该粘接剂层突出;以及 光器件层移设步骤,在该粘接剂去除步骤之后,将从该粘接剂层突出的光器件层移设至安装基板, 在该粘接剂去除步骤中,避开对该光器件层的激光光线的照射而向该光器件层彼此之间的粘接剂的至少一部分照射激光光线,选择性地去除该粘接剂。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人株式会社迪思科,其通讯地址为:日本东京都;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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