沃孚半导体公司西蒙·布贝尔获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉沃孚半导体公司申请的专利用于处理具有松弛正弯的碳化硅晶片的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117021381B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311010709.5，技术领域涉及：B28D5/00；该发明授权用于处理具有松弛正弯的碳化硅晶片的方法是由西蒙·布贝尔;马修·多诺弗里奥;约翰·埃德蒙;伊恩·柯里尔设计研发完成，并于2020-03-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于处理具有松弛正弯的碳化硅晶片的方法在说明书摘要公布了：本发明提供了用于处理具有松弛正弯的碳化硅晶片的方法。公开了碳化硅SiC晶片8A和相关方法，其包括配置以减少与由于重力或先前存在的结晶应力所造成的这些晶片8A的变形、弯曲或下垂有关的生产问题的故意或强加的晶片8A形状。故意或强加的晶片8A形状可以包括具有相对于其硅面的松弛正弯的SiC晶片8A。以这种方式，可以降低与SiC晶片8A，并且具体地大面积SiC晶片8A的变形、弯曲或下垂有关的影响。公开了用于提供具有松弛正弯的SiC晶片8A的相关方法，所述方法提供了减小的块状晶体材料70、90、92A、92的切割损失。这些方法可以包括SiC6H晶片8A与块状晶体材料70、90、92A、92的激光辅助分离。
本发明授权用于处理具有松弛正弯的碳化硅晶片的方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅晶片，包括： 暴露的硅面和碳面； 至少200毫米（mm）的直径；以及 从所述硅面的松弛正弯； 其中，所述松弛正弯在大于0μm至50μm的范围内。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人沃孚半导体公司，其通讯地址为：美国北卡罗来纳州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号