联华电子股份有限公司马处铭获国家专利权
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龙图腾网获悉联华电子股份有限公司申请的专利半导体元件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111863949B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910359449.X，技术领域涉及：H10D64/27；该发明授权半导体元件及其制作方法是由马处铭;黄鸿期;钟贤达设计研发完成，并于2019-04-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体元件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该半导体元件包含一基底、一栅极结构位于该基底上、一栅极介电层位于该基底以及该栅极结构之间。该栅极结构包含一第一侧壁以及相对于该第一侧壁的一第二侧壁。一第一绝缘层位于该第一侧壁以及该栅极介电层上，该第一绝缘层包含一第一鸟喙部覆盖在该栅极结构的一圆化底角上。一对间隙壁分别位于该第一绝缘层以及该第二侧壁上。
本发明授权半导体元件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体元件，其特征在于，该半导体元件包含： 基底； 栅极结构，位于该基底的主表面上，该栅极结构包含第一侧壁以及相对于该第一侧壁的第二侧壁； 栅极介电层，位于该基底以及该栅极结构之间； 第一绝缘层，位于该第一侧壁的侧边以及该栅极介电层的顶面上，其中该第一绝缘层包含： 第一鸟喙部，覆盖在该栅极结构的圆化底角上；以及 第二鸟喙部，自所述第一侧壁朝向所述第二侧壁延伸，并覆盖在该栅极结构的圆化顶角远离所述栅极介电层的一侧； 第一间隙壁，位于该第一绝缘层的侧边； 第二间隙壁，位于该第二侧壁的侧边，其中该第二侧壁与该第二间隙壁直接接触，该第一侧壁与该第一间隙壁之间由该第一绝缘层而完全区隔开；第二绝缘层，位于该第一间隙壁的下方的该基底中且与该第一间隙壁直接接触；以及 漏极区，位于邻近该第二绝缘层的该基底中，其中该漏极区的一部分在该第二绝缘层的下方。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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