金阳(泉州)新能源科技有限公司林楷睿获国家专利权
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龙图腾网获悉金阳(泉州)新能源科技有限公司申请的专利具有特定减反层结构的背接触电池及其制法和光伏组件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120091666B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510479925.7，技术领域涉及：H10F77/30；该发明授权具有特定减反层结构的背接触电池及其制法和光伏组件是由林楷睿;许志设计研发完成，并于2025-04-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有特定减反层结构的背接触电池及其制法和光伏组件在说明书摘要公布了：本发明属于背接触电池技术领域，具体涉及一种具有特定减反层结构的背接触电池及其制法和光伏组件，包括在硅片受光面设置的氧化层，还包括在氧化层外表面依次设置的第一掺氢氮化硅层、第二掺氢氮化硅层、第三掺氢氮化硅层，形成减反层；其中，第一掺氢氮化硅层、第二掺氢氮化硅层、第三掺氢氮化硅层的有效掺氢浓度逐渐增加、厚度逐渐增加；且第一掺氢氮化硅层、第二掺氢氮化硅层、第三掺氢氮化硅层的腐蚀速率和耐腐蚀时间在适宜范围。本发明背接触电池能够最大限度的保护氧化层同时注入更多的氢，且有效钝化缺陷和杂质，达到最优的光学效果和钝化水平，提高电池的转换效率和电池的稳定性；同时提高致密性。
本发明授权具有特定减反层结构的背接触电池及其制法和光伏组件在权利要求书中公布了：1.一种具有特定减反层结构的背接触电池，包括硅片，在硅片背面交替设置的第一半导体层和第二半导体层，在硅片受光面设置的氧化层，其特征在于，还包括在氧化层外表面依次设置的第一掺氢氮化硅层、第二掺氢氮化硅层、第三掺氢氮化硅层，形成减反层；其中，第一掺氢氮化硅层、第二掺氢氮化硅层、第三掺氢氮化硅层的有效掺氢浓度逐渐增加、厚度逐渐增加；且第一掺氢氮化硅层、第二掺氢氮化硅层、第三掺氢氮化硅层的腐蚀速率分别为0.20nms-0.23nms、0.16nms-0.20nms、0.10nms-0.16nms，第一掺氢氮化硅层、第二掺氢氮化硅层、第三掺氢氮化硅层的耐腐蚀时间之比为1：（2-4.5）：（5-13.5），其中，腐蚀速率为对应掺氢氮化硅层通过质量浓度为5%的氢氟酸溶液进行腐蚀测试得到的，耐腐蚀时间为对应掺氢氮化硅层通过质量浓度为5%的氢氟酸溶液完全去除所需时间。
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