武创芯研科技(武汉)有限公司张适获国家专利权
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龙图腾网获悉武创芯研科技(武汉)有限公司申请的专利灌封过程仿真方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120012525B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510472589.3,技术领域涉及:G06F30/23;该发明授权灌封过程仿真方法是由张适;陈冉;李丽丹;余可;陈宇;代向阳;卢大海设计研发完成,并于2025-04-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本灌封过程仿真方法在说明书摘要公布了:本发明提供了一种灌封过程仿真方法,包括:基于获取的芯片、焊球和基板参数构建几何模型;将几何模型分为重点仿真区域和非重点仿真区域;分别对重点仿真区域和非重点仿真区域进行判定分类;基于判定分类结果对几何模型进行简化;对简化后的几何模型进行网格划分生成有限元模型;设定的初始条件以及边界条件,对有限元模型进行流场耦合分析。通过将灌封过程的几何模型分为重点仿真区域和非重点仿真区域,然后基于判定分类结果对几何模型进行简化,对简化后的几何模型进行网格划分生成有限元模型,先对模型进行简化,然后基于简化的模型生成有限元模型,简化了有限元模型的计算量,从而达到减少计算量的目的。
本发明授权灌封过程仿真方法在权利要求书中公布了:1.一种灌封过程仿真方法,其特征在于,包括: 基于获取的芯片、焊球和基板参数构建几何模型; 将几何模型分为重点仿真区域和非重点仿真区域; 分别对重点仿真区域和非重点仿真区域进行判定分类; 基于判定分类结果对几何模型进行简化; 对简化后的几何模型进行网格划分生成有限元模型; 设定的初始条件以及边界条件,对有限元模型进行流场耦合分析; 所述将几何模型分为重点仿真区域和非重点仿真区域中,所述重点仿真区域为XOY平面的气泡产生区域,所述非重点仿真区域为Z轴向区域; 所述对重点仿真区域和非重点仿真区域进行判定分类,包括: 将重点仿真区域分为能简化的和不能简化的; 将非重点仿真区域分为易简化的和不易简化的; 将重点仿真区域分为能简化的和不能简化的,包括: 边缘外围焊点分为不能简化,对称边界处焊球个数分为能简化;主区域焊球个数分为能简化,内围边缘焊点分为能简化; 将非重点仿真区域分为易简化的和不易简化的,包括易简化的Z轴向的几何特征直接忽视,不易简化的Z轴向因基板和芯片的近缝隙产生的毛细力进行仿真。
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