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龙图腾网获悉新毅东(北京)科技有限公司申请的专利光刻机中硅片处光偏振态检测的误差分析方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119984514B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510452158.0，技术领域涉及：G01J4/00；该发明授权光刻机中硅片处光偏振态检测的误差分析方法是由张琪;符友银设计研发完成，并于2025-04-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本光刻机中硅片处光偏振态检测的误差分析方法在说明书摘要公布了：本发明涉及偏振检测技术领域，提供一种光刻机中硅片处光偏振态检测的误差分析方法，根据耦合镜的离焦量确定入射到零级14波片的光束的入射角；根据零级14波片的光束的入射角，计算零级14波片的装调误差对应的波片相位延迟；根据波片相位延迟确定非理想元件状态下的硅片处光的斯托克斯参量；非理想元件状态下考虑零级14波片的波片相位延迟和偏振棱镜的双向衰减率；根据非理想元件状态下的硅片处光的斯托克斯参量与预设理想元件状态下的硅片处光的斯托克斯参量，确定硅片处光偏振态检测的误差分析结果。本发明能够实现对硅片处光偏振态检测的精准误差分析，有助于光刻模拟仿真，优化光刻机系统设计，最终提高光刻成像质量。

本发明授权光刻机中硅片处光偏振态检测的误差分析方法在权利要求书中公布了：1.一种光刻机中硅片处光偏振态检测的误差分析方法，其特征在于，应用于光刻机中硅片处光偏振态检测系统，所述检测系统由前至后依次包括耦合镜、零级14波片、偏振棱镜和电荷耦合器件；光刻机硅片处的光束经所述耦合镜变成平行光后，相继通过所述零级14波片和所述偏振棱镜后由所述电荷耦合器件接收； 所述方法包括： 根据所述耦合镜的离焦量确定入射到所述零级14波片的光束的入射角； 根据所述零级14波片的光束的入射角，计算所述零级14波片的加工误差对应的波片相位延迟； 根据所述零级14波片的光束的入射角，计算所述零级14波片的装调误差对应的波片相位延迟； 根据所述波片相位延迟确定非理想元件状态下的硅片处光的斯托克斯参量；所述非理想元件状态下考虑所述零级14波片的波片相位延迟和所述偏振棱镜的双向衰减率；所述零级14波片的波片相位延迟是由耦合镜离焦、波片自身的加工和装调引起的相位延迟； 根据所述非理想元件状态下的硅片处光的斯托克斯参量与预设理想元件状态下的硅片处光的斯托克斯参量，确定硅片处光偏振态检测的误差分析结果。

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