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龙图腾网获悉安徽格恩半导体有限公司申请的专利一种具有抑制热衰退下波导层的半导体激光器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119627618B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411480994.1，技术领域涉及：H01S5/10；该发明授权一种具有抑制热衰退下波导层的半导体激光器是由阚宏柱;郑锦坚;邓和清;寻飞林;张江勇;钟志白;陈婉君;蔡鑫;刘紫涵;李水清设计研发完成，并于2024-10-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有抑制热衰退下波导层的半导体激光器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有抑制热衰退下波导层的半导体激光器，从下至上依次包括衬底、下包覆层、下波导层，有源层、上波导层、电子阻挡层、上包覆层，所述下波导层为低振荡阈值下波导层，所述低振荡阈值下波导层为InGaNGaN超晶格、InGaNAlGaN超晶格、InGaNAlInGaN超晶格、InGaNAlInN超晶格、GaNAlGaN超晶格、GaNAlInGaN超晶格、GaNAlN超晶格的任意一种或任意组合，厚度为5～1000nm。本发明降低激光器波导侧壁散射损耗和量子阱吸收损耗，降低激光器的内部光吸收损耗，抑制非辐射复合导致的热衰退，降低激光器的阈值电流并提升斜率效率。

本发明授权一种具有抑制热衰退下波导层的半导体激光器在权利要求书中公布了：1.一种具有抑制热衰退下波导层的半导体激光器，从下至上依次包括衬底100、下包覆层101、下波导层102，有源层103、上波导层104、电子阻挡层105、上包覆层106，其特征在于，所述下波导层102为低振荡阈值下波导层102，所述低振荡阈值下波导层102为InGaN、GaN、InN、AlInGaN、AlInN、AlN、InGaNGaN超晶格、InGaNAlGaN超晶格、InGaNAlInGaN超晶格、InGaNAlInN超晶格、GaNAlGaN超晶格、GaNAlInGaN超晶格、GaNAlN超晶格的任意一种或任意组合，厚度为5～1000nm； 所述低振荡阈值下波导层102的饱和电子漂移速率的峰值位置往下包覆层101方向的下降角度为α，所述低振荡阈值下波导层102的吸收系数的谷值位置往下包覆层101方向的上升角度β，所述低振荡阈值下波导层102的极化光学声子能的谷值位置往下包覆层101方向的上升角度γ，所述低振荡阈值下波导层102的横向声速的谷值位置往下包覆层101方向的上升角度θ，其中：40°≤γ≤θ≤α≤β≤≤90°； 所述低振荡阈值下波导层102的饱和电子漂移速率的谷值位置往有源层103方向的上升角度为δ，所述低振荡阈值下波导层102的吸收系数的峰值位置往有源层103方向的下降角度σ，所述低振荡阈值下波导层102的极化光学声子能的峰值位置往有源层103方向的下降角度φ，所述低振荡阈值下波导层102的横向声速的峰值位置往有源层103方向的下降角度ψ，其中：45°≤ψ≤φ≤δ≤σ≤90°； 所述低振荡阈值下波导层102的饱和电子漂移速率的峰值位置往下包覆层101方向的下降角度，所述低振荡阈值下波导层102的吸收系数、极化光学声子能、横向声速的谷值位置往下包覆层101方向的上升角度，所述低振荡阈值下波导层102的饱和电子漂移速率的谷值位置往有源层103方向的上升角度，所述低振荡阈值下波导层102的吸收系数、极化光学声子能、横向声速的峰值位置往有源层103方向的下降角度具有如下关系：40°≤γ≤ψ≤θ≤φ≤α≤δ≤β≤σ≤90°。

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