吉林华微电子股份有限公司李大哲获国家专利权
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龙图腾网获悉吉林华微电子股份有限公司申请的专利半导体器件及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115084227B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210720262.X，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权半导体器件及电子设备是由李大哲设计研发完成，并于2022-06-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及电子设备在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体器件及电子设备，所述半导体器件包括：基底层、P‑阳极区、N+集电极源极区、多个第一P‑场环、氧化隔离层、多个第一多晶硅场板、绝缘隔离层及第一金属场板。第一P‑场环在基底层上的深度大于P‑阳极区在基底层上的深度；第一金属场板在基底层上的正投影与最靠近N+集电极源极区的第一多晶硅场板在基底层上的正投影具有重合区域。如此，可以在PN结施加反偏压时，使各个大深度的第一P‑场环的扩展区相连，更有效的将空间电荷区展开，使电场尖峰降低，从而有效提高反向电压及稳定性，从而既能保障终端的电压需要，又能保障快恢复产品保留很好的恢复及压降特性。
本发明授权半导体器件及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括： 基底层； 形成于所述基底层上的P-阳极区和N+集电极源极区； 形成于所述P-阳极区和N+集电极源极区之间的多个第一P-场环，所述第一P-场环在所述基底层上的深度大于P-阳极区在所述基底层上的深度； 位于所述基底层上的氧化隔离层； 位于所述氧化隔离层上的多个第一多晶硅场板，每个所述第一多晶硅场板对应一个所述第一P-场环； 位于所述第一多晶硅场板上的绝缘隔离层； 位于所述绝缘隔离层上的第一金属场板，所述第一金属场板在所述基底层上的正投影与最靠近所述N+集电极源极区的第一多晶硅场板在所述基底层上的正投影具有重合区域。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人吉林华微电子股份有限公司，其通讯地址为：132000 吉林省吉林市高新区深圳街99号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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