爱思开海力士有限公司河泰政获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉爱思开海力士有限公司申请的专利电子设备及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114300614B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110521638.X，技术领域涉及：H10N50/10；该发明授权电子设备及其制造方法是由河泰政;宋政桓设计研发完成，并于2021-05-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本电子设备及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供的一种电子设备可以包括被构造成包含多个存储单元的半导体存储器，其中，多个存储单元中的每一个可以包括：第一电极层；第二电极层；以及选择元件层，其设置在第一电极层与第二电极层之间，以基于施加电压或施加电流相对于阈值大小的大小将第一电极层与第二电极层之间的电连接进行电耦接或解耦，其中，选择元件层具有从选择元件层与第一电极层之间的界面向选择元件层与第二电极层之间的界面降低的掺杂剂浓度分布。
本发明授权电子设备及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种电子设备，包括被构造成包含多个存储单元的半导体存储器，其中，所述多个存储单元中的每一个包括： 第一电极层； 第二电极层；和 选择元件层，其设置在所述第一电极层与所述第二电极层之间，以基于施加电压或施加电流相对于阈值大小的大小而将所述第一电极层与所述第二电极层之间的电连接进行电耦接或解耦， 其中，通过以下步骤形成所述选择元件层： 形成用于所述选择元件层的材料层； 通过第一离子注入工艺以第一掺杂剂掺杂所述材料层；以及 通过第二离子注入工艺以第二掺杂剂掺杂所述材料层以形成选择元件层； 其中，所述第二离子注入工艺以比所述第一离子注入工艺更高的能量来执行， 其中，所述第二掺杂剂的的投影射程对应于所述第一电极层与所述选择元件层之间的界面 其中，所述选择元件层具有从所述选择元件层与所述第一电极层之间的界面向所述选择元件层与所述第二电极层之间的界面降低的掺杂剂浓度分布。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人爱思开海力士有限公司，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号