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龙图腾网获悉代尔夫特技术大学申请的专利用于存储器单元的器件意识测试获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114641826B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080076817.0，技术领域涉及：G11C29/10；该发明授权用于存储器单元的器件意识测试是由莫塔乔拉·陶伊尔;赛义德·哈姆迪乌伊设计研发完成，并于2020-09-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于存储器单元的器件意识测试在说明书摘要公布了：公开了一种用于测试集成电路器件1的方法，该方法包括：对集成电路器件1进行缺陷建模；基于从缺陷建模获得的信息对集成电路器件1进行故障建模；基于从故障建模获得的信息进行测试开发；以及对集成电路器件1执行测试。对集成电路器件1进行缺陷建模包括：执行对集成电路器件1的物理缺陷分析10，以提供从与集成电路器件1相关联的一组无缺陷技术参数Tpdf修改的一组有效技术参数Tpeff；以及使用该一组有效技术参数Tpeff来执行对集成电路器件1的电学建模11，以基于集成电路器件1的无缺陷电学模型来提供缺陷参数化电学模型16；17。本方法实现十亿分率测试能力。

本发明授权用于存储器单元的器件意识测试在权利要求书中公布了：1.一种用于测试集成电路器件1的方法，所述方法包括： 基于物理缺陷对所述集成电路器件1的技术参数以及之后对所述集成电路器件1的电学参数的影响对所述集成电路器件1进行缺陷建模， 基于从所述缺陷建模获得的信息对所述集成电路器件1进行故障建模， 基于从所述故障建模获得的信息来进行测试开发，以及 对所述集成电路器件1执行所述测试， 其中缺陷建模包括： 执行物理缺陷分析10，以提供从与所述集成电路器件1相关联的一组无缺陷技术参数Tpdf修改的一组有效技术参数Tpeff；以及 使用所述一组有效技术参数Tpeff来执行电学建模11，以基于所述集成电路器件1的无缺陷电学模型来提供缺陷参数化电学模型16；17，以及 其中故障建模20包括基于所述缺陷参数化电学模型16；17的故障分析22，并且 其中所述故障分析22包括：定义故障空间，所述故障空间包括对多个可能故障23、24、27的描述；以及确定在执行所述测试期间多个可能故障23、24、27中的哪些对所述物理缺陷是现实的， 其中所述故障分析22包括确定可能故障23、24、27的列表，所述可能故障的列表包括容易检测的故障23和或难以检测的故障27，容易检测的故障23是能够通过对所述集成电路器件1应用操作序列来检测到的功能故障，并且难以检测的故障27是引起所述集成电路器件1中的参数故障的故障。

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