台湾积体电路制造股份有限公司李健玮获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112420835B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010311490.2，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权半导体装置的形成方法是由李健玮;宋学昌;李彦儒;林俊池;徐梓翔;杨丰诚设计研发完成，并于2020-04-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置的形成方法在说明书摘要公布了：此处提供半导体装置与半导体装置的形成方法，且半导体装置包括的源极漏极区具有V形下表面并延伸于与栅极堆叠相邻的栅极间隔物之下。在一实施例中，方法包括形成栅极堆叠于鳍状物上；形成栅极间隔物于栅极堆叠的侧壁上；由非等向的第一蚀刻工艺蚀刻鳍状物，以形成与栅极间隔物相邻的第一凹陷；由第二蚀刻工艺蚀刻鳍状物，以自第一凹陷移除蚀刻残留物，且第二蚀刻工艺与第一蚀刻工艺采用的蚀刻剂不同；由非等向的第三蚀刻工艺蚀刻第一凹陷的表面以形成第二凹陷，第二凹陷延伸至栅极间隔物之下且具有V形下表面，且第三蚀刻工艺与第一蚀刻工艺采用的蚀刻剂不同；以及外延形成源极漏极区于第二凹陷中。
本发明授权半导体装置的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置的形成方法，包括： 形成一栅极堆叠于自一基板延伸的一鳍状物上； 形成一栅极间隔物于该栅极堆叠的侧壁上； 由一第一蚀刻工艺蚀刻该鳍状物，以形成与该栅极间隔物相邻的一第一凹陷，其中该第一蚀刻工艺为非等向； 由一第二蚀刻工艺蚀刻该鳍状物，以自该第一凹陷移除一蚀刻残留物，且该第二蚀刻工艺与该第一蚀刻工艺采用的蚀刻剂不同； 由一第三蚀刻工艺蚀刻该第一凹陷的表面，以形成一第二凹陷，该第二凹陷在垂直于该基板的主要表面的方向中的110结晶平面中延伸至该栅极间隔物之下，且该第二凹陷具有V形下表面，其中该第三蚀刻工艺沿着该基板的100结晶平面为非等向，且该第三蚀刻工艺与该第一蚀刻工艺采用的蚀刻剂不同；以及 外延形成一源极漏极区于该第二凹陷中。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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