应用材料公司姜昌锡获国家专利权
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龙图腾网获悉应用材料公司申请的专利3-D NAND模具获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113632231B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080024449.5，技术领域涉及：H10B43/27；该发明授权3-D NAND模具是由姜昌锡;北岛知彦;穆昆德·斯里尼瓦桑;桑杰·纳塔拉扬设计研发完成，并于2020-04-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本3-D NAND模具在说明书摘要公布了：提供了制造存储器装置的方法。所述方法减小第一层的厚度并且增大第二层的厚度。半导体装置被描述为具有：膜堆叠，所述膜堆叠在所述装置的第一部分中，包括交替的氮化物层和第二层，所述膜堆叠的所述交替的氮化物层和第二层具有氮化物∶氧化物厚度比Nf∶Of；和存储器堆叠，所述存储器堆叠在所述装置的第二部分中，包括交替的字线层和第二层，所述存储器堆叠的所述交替的字线层和第二层具有字线∶氧化物厚度比Wm∶Om，其中0.1Wm∶Om＜Nf∶Of＜0.95Wm∶Om。
本发明授权3-D NAND模具在权利要求书中公布了：1.一种形成电子装置的方法，所述方法包括： 从包括交替的氧化物层和氮化物层的膜堆叠移除一个或多个氮化物层，所述氮化物层从所述氮化物层的第一侧移除以留下由包括多晶硅层的一个或多个膜在与所述第一侧相对的第二侧上界定的开口，所述一个或多个膜在所述氮化物层和所述氧化物层堆叠的方向上延伸，所述开口具有第一厚度； 通过所述开口修整所述氧化物层，以将所述开口的厚度从所述第一厚度增大到第二厚度并且将所述氧化物层的第一厚度减小到比所述氧化物层的所述第一厚度小的所述氧化物层的第二厚度；和 在所述开口中沉积字线替换材料以形成厚度大于所述开口的所述第一厚度的字线，从而形成包括交替的字线和所述氧化物层的存储器堆叠， 其中所述膜堆叠的所述交替的氮化物层和氧化物层具有由Nf：Of表示的氮化物：氧化物厚度比； 所述存储器堆叠的所述交替的字线和氧化物层具有由Wm：Om表示的字线：氧化物厚度比，并且 0.1xWm：OmNf：Of0.95xWm：Om。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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