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龙图腾网获悉半导体元件工业有限责任公司申请的专利形成半导体器件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112103184B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010189342.8，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权形成半导体器件的方法是由D·E·普罗布斯特;J·A·纽尔斯;江田雅一;P·A·伯克;P·麦克格拉斯;P·温卡特拉曼设计研发完成，并于2020-03-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本形成半导体器件的方法在说明书摘要公布了：本发明题为“形成半导体器件的方法”。在一个实施方案中，形成半导体器件的方法在半导体基板中形成栅极沟槽。在该沟槽之间的材料的一部分被缩窄，并且另一种材料形成于基本上未被蚀刻剂蚀刻的缩窄部分的侧壁上，该蚀刻剂蚀刻介于沟槽之间的材料部分的材料。源极接触开口和栅极接触开口一起形成。

本发明授权形成半导体器件的方法在权利要求书中公布了：1.一种形成半导体器件的方法，包括： 提供具有第一表面的基板，所述基板为具有第一导电类型的半导体基板； 形成具有第一宽度的多个栅极沟槽开口，所述栅极沟槽开口延伸第一距离到所述基板中，其中每个栅极沟槽开口位于所述半导体器件的有源区中并且具有从所述有源区延伸到所述半导体器件的非有源区中的长度； 形成具有所述第一宽度的终端沟槽开口，所述终端沟槽开口延伸到所述基板中，其中所述终端沟槽开口围绕所述多个栅极沟槽开口，并且其中所述多个栅极沟槽开口留有具有第二宽度的所述基板的突起部，所述突起部介于每个栅极沟槽开口之间并且还沿着所述终端沟槽开口的外边缘； 将所述第一宽度扩展至第三宽度，其中所述第三宽度延伸第二距离到所述基板中，所述第二距离小于所述第一距离，从而将所述突起部的第二宽度减小至第四宽度，其中所述第四宽度基本上延伸所述第二距离到所述基板中； 沿具有所述第一宽度的所述多个栅极沟槽开口的侧壁的至少第一部分形成具有第一厚度的第一绝缘体，其中所述第一绝缘体从所述多个栅极沟槽开口的底部朝向所述第一表面延伸第三距离； 沿所述侧壁的另一部分形成具有第二厚度的第二绝缘体，其中所述第二绝缘体从所述第三距离朝向所述第一表面延伸； 在所述多个栅极沟槽开口中并邻接所述第二绝缘体形成栅极导体； 形成覆盖所述栅极导体和所述突起部的第三绝缘体； 在所述第三绝缘体上形成蚀刻停止层； 形成覆盖所述蚀刻停止层的第四绝缘体，其中所述蚀刻停止层的材料不受移除所述第四绝缘体的材料的操作的影响； 蚀刻所述第四绝缘体的覆盖所述突起部的部分以形成穿过所述第四绝缘体的第一开口，并且蚀刻第四绝缘体的覆盖所述多个栅极沟槽开口的非有源区中的栅极导体的部分以形成穿过所述第四绝缘体的第二开口，其中所述蚀刻基本上在所述蚀刻停止层上停止； 使所述第一开口和所述第二开口延伸穿过所述蚀刻停止层； 穿过所述第一开口并进入所述突起部中并且穿过所述第二开口蚀刻所述第三绝缘体的暴露部分以暴露所述栅极导体； 在所述有源区中形成覆盖所述突起部和所述多个栅极沟槽开口的源极，并延伸穿过所述第一开口以形成与所述突起部的电连接；以及 在所述非有源区中形成覆盖所述多个栅极沟槽开口的栅电极并延伸穿过所述第二开口以形成与所述栅极导体的电连接。

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