盛美半导体设备(上海)股份有限公司仰庶获国家专利权
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龙图腾网获悉盛美半导体设备(上海)股份有限公司申请的专利半导体基板的湿法刻蚀方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112530797B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910887418.1，技术领域涉及：H01L21/306；该发明授权半导体基板的湿法刻蚀方法是由仰庶;张晓燕;王文军;陈福平;王晖设计研发完成，并于2019-09-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体基板的湿法刻蚀方法在说明书摘要公布了：本发明揭示了半导体基板的湿法刻蚀方法，包括：测量第n片基板上每个点的厚度前值；测量第n片基板上每个点的刻蚀后的厚度后值，计算得到第n片基板上每个点的刻蚀量，根据刻蚀量建立第n片基板的刻蚀量形貌图，刻蚀量形貌图能够反映出第n片基板上的刻蚀量分布；根据第n片基板的刻蚀量分布情况调节喷液摆臂的移动速率对第n+1片基板进行刻蚀加工。本发明根据第n片基板刻蚀前后的膜厚差值，建立刻蚀量形貌图根据第n片基板的刻蚀量分布调节第n+1片基板喷液摆臂的移动速度，以调节第n+1片基板的刻蚀量，提高基板的刻蚀均一性，提升产品的良率。
本发明授权半导体基板的湿法刻蚀方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体基板的湿法刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤： 测量第n片基板上每个点的厚度前值； 测量第n片基板上每个点的刻蚀后的厚度后值，计算得到第n片基板上每个点的实际刻蚀量，根据该刻蚀量建立第n片基板的刻蚀量形貌图，刻蚀量形貌图能够反映出第n片基板上刻蚀量的分布情况； 根据第n片基板的刻蚀量分布情况调节喷液摆臂的移动速率，并以该移动速率对第n+1片基板进行刻蚀加工； 第n片基板的刻蚀量分布情况是指将第n片基板上的实际刻蚀量与目标刻蚀量进行比较，将刻蚀量形貌图分为刻蚀量较低区域和刻蚀量较高区域，刻蚀量较低区域是指该区域内实际刻蚀量低于目标刻蚀量，刻蚀量较高区域是指该区域内实际刻蚀量高于目标刻蚀量。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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