上海邦芯半导体科技有限公司仲凯获国家专利权
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龙图腾网获悉上海邦芯半导体科技有限公司申请的专利边缘保护环及深硅刻蚀设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120221381B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510676854.X，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权边缘保护环及深硅刻蚀设备是由仲凯;桂智谦;涂乐义;梁洁;王兆祥;张明瑜;胥沛雯设计研发完成，并于2025-05-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本边缘保护环及深硅刻蚀设备在说明书摘要公布了：本发明提供了一种边缘保护环及深硅刻蚀设备，边缘保护环包括外环部和内环部，外环部和内环部均呈圆环状，外环部环绕内环部设置，且外环部和内环部一体成型，内环部的厚度小于外环部的厚度，内环部用于覆盖晶圆的边缘，外环部用于环绕晶圆的边缘，内环部朝向晶圆的一面上开设有若干吹扫孔，外环部和内环部内部开设有若干管道，外环部上设有进气口，若干管道连通若干吹扫孔和进气口，进气口接收清除气体，吹扫孔将所述清除气体喷出，使清除气体经过晶圆的边缘以对晶圆边缘的残留物进行吹扫和反应清除，进而减少了晶圆边缘材料堆积或结构遮挡对后续工艺的影响。
本发明授权边缘保护环及深硅刻蚀设备在权利要求书中公布了：1.一种边缘保护环，应用于深硅刻蚀设备，其特征在于，包括外环部和内环部，所述外环部和所述内环部均呈圆环状，所述外环部环绕所述内环部设置，且所述外环部和所述内环部一体成型，所述内环部的厚度小于所述外环部的厚度，所述内环部用于覆盖晶圆的边缘，所述外环部用于环绕晶圆的边缘，所述内环部朝向晶圆的一面上开设有若干吹扫孔，所述外环部和所述内环部内部开设有若干管道，所述外环部上设有进气口，若干所述管道连通若干所述吹扫孔和所述进气口，其中，所述进气口用于接收清除气体，所述清除气体包括六氟化硫和氧气，所述吹扫孔用于将所述清除气体喷出，使所述清除气体经过晶圆的边缘以对晶圆边缘的残留物进行吹扫和反应清除。
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