台湾积体电路制造股份有限公司林子敬获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223157516U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422229266.5，技术领域涉及：H10D30/62；该实用新型半导体装置是由林子敬;蔡雅怡;吴昀铮;古淑瑗设计研发完成，并于2024-09-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：一种半导体装置，包含多个第一纳米结构通道、多个第二纳米结构通道、第一金属栅极结构、第二金属栅极结构、栅极隔离结构以及主动区隔离结构。第一纳米结构通道位于延伸到半导体基板上的第一凸部区上，并沿垂直于半导体基板的方向布置。第二纳米结构通道位于延伸到半导体基板上的第二凸部区上，并沿垂直于半导体基板的方向布置。第一金属栅极结构围绕第一纳米结构通道的每一者。第二金属栅极结构围绕第二纳米结构通道的每一者。栅极隔离结构位于第一及第二金属栅极结构之间。主动区隔离结构位于栅极隔离结构及第二金属栅极结构之间，其介电衬垫直接包含于栅极隔离结构的侧壁上，其底部包含凸部区段以及浅沟隔离区段。
本实用新型半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，包含： 多个第一纳米结构通道，位于延伸到一半导体基板上的一第一凸部区上，其中所述多个第一纳米结构通道沿垂直于该半导体基板的一方向布置； 多个第二纳米结构通道，位于延伸到该半导体基板上的一第二凸部区上，其中所述多个第二纳米结构通道沿垂直于该半导体基板的该方向布置； 一第一金属栅极结构，围绕所述多个第一纳米结构通道的每一者； 一第二金属栅极结构，围绕所述多个第二纳米结构通道的每一者； 一栅极隔离结构，位于该第一金属栅极结构及该第二金属栅极结构之间；以及 一主动区隔离结构，位于该栅极隔离结构及该第二金属栅极结构之间，其中该主动区隔离结构的一介电衬垫直接包含于该栅极隔离结构的一侧壁上，以及其中该主动区隔离结构的一底部包含： 一凸部区段，延伸入该半导体基板内；以及 一或多个浅沟隔离区段，位于该凸部区段下。
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