杭州谱析光晶半导体科技有限公司许一力获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州谱析光晶半导体科技有限公司申请的专利基于SiC材料的低损耗VDMOSFET结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223157521U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421679111.5，技术领域涉及：H10D62/10；该实用新型基于SiC材料的低损耗VDMOSFET结构是由许一力设计研发完成，并于2024-07-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于SiC材料的低损耗VDMOSFET结构在说明书摘要公布了：本实用新型涉及垂直双扩散MOSFET技术领域，且公开了基于SiC材料的低损耗VDMOSFET结构，包括漏极、衬底、源极和栅极，所述漏极的上表面焊接有所述衬底，所述衬底的上表面外延生长有N‑漂移区，所述N‑漂移区的内部扩散形成多个P‑体区，所述P‑体区的下表面设置有P柱，所述P柱和所述P‑体区的外部周围有掺杂区，所述掺杂区为硼，所述P‑体区的内部经过扩散形成P+区；本实用新型中，P‑体区下方有P柱，并且，在P柱和P‑体区周围有掺杂区，在P+区中有第一N+区和第二N+区，在阻断状态下，VDMOSFET器件的漂移区通过P柱的辅助耗尽作用在较低漏电压下就完全耗尽，P柱与N柱的等量异种电荷相互抵消而实现电荷平衡，在保持高电压的同时实现了低导通电阻，进而降低损耗。
本实用新型基于SiC材料的低损耗VDMOSFET结构在权利要求书中公布了：1.基于SiC材料的低损耗VDMOSFET结构，包括漏极1、衬底2、源极11和栅极12，其特征在于：所述漏极1的上表面焊接有所述衬底2，所述衬底2的上表面外延生长有N-漂移区3，所述N-漂移区3的内部扩散形成多个P-体区6，所述P-体区6的下表面设置有P柱4，所述P柱4和所述P-体区6的外部周围有掺杂区5，所述掺杂区5为硼，所述P-体区6的内部经过扩散形成P+区7，所述P+区7的内部具有第一N+区8和第二N+区9，且所述第一N+区8处在所述P+区7的内部上方两侧，所述第二N+区9处在所述P+区7的内部中部位置，所述P+区7和所述第二N+区9的上表面设置有所述栅极12，相邻的所述P+区7上的两个所述第一N+区8的上表面横向覆盖有绝缘层10，每个所述绝缘层10的内部嵌设有所述源极11。
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