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龙图腾网获悉富芯微电子有限公司申请的专利一种功率MOSFET芯片定向自动叠放装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118824917B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410880152.9，技术领域涉及：H01L21/677；该发明授权一种功率MOSFET芯片定向自动叠放装置是由李盛楠;倪侠;邹有彪;张荣;车振华;王全设计研发完成，并于2024-07-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种功率MOSFET芯片定向自动叠放装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种功率MOSFET芯片定向自动叠放装置，包括传送带，传送带的顶面设置有侧挡板，侧挡板连接有梳平槽，梳平槽连接有延伸板，梳平槽的内部通过设置内隔板将梳平槽的内部分隔为若干个通道，通道内设置有阶梯台，梳平槽连接有延伸板，延伸板的上部设置有电磁铁，靠近传送带尾部的支撑机构上通过支撑侧杆设置有变向传送带，变向传送带上设置有磁铁块，支撑侧杆之间处设置有收集组件，本发明通过变向传送带、磁铁块和收集组件等的设置和共同协作，成功实现了对功率MOSFET芯片进行定向，并通过分隔组件的设置，从而可以流畅、不间断地自动收集叠放物料，结构设置精巧，自动化程度高且高效，显著提高物料的定向叠放效率，具有极大的应用前景。

本发明授权一种功率MOSFET芯片定向自动叠放装置在权利要求书中公布了：1.一种功率MOSFET芯片定向自动叠放装置，其特征在于，包括传送带（1），所述传送带（1）通过支撑机构（103）支撑，所述传送带（1）的顶面两侧均设置有侧挡板（2），两个所述侧挡板（2）的同侧端固定连接有梳平槽（5），所述梳平槽（5）的另一侧固定连接有延伸板（6），所述梳平槽（5）的内部通过设置内隔板（501）将梳平槽（5）的内部分隔为若干个通道，所述通道内设置有阶梯台（502），所述通道的高度沿着传送带（1）的运动方向逐级降低，最低的所述通道的高度和单个功率MOSFET芯片的厚度相等，所述通道的宽度和单个功率MOSFET芯片的宽度相等，所述梳平槽（5）的后方侧壁位于通道之间处均固定连接有延伸板（6），所述延伸板（6）后方侧壁的上部设置有电磁铁（7），靠近所述传送带（1）尾部的支撑机构（103）上通过支撑侧杆（802）设置有变向传送带（8），所述变向传送带（8）上等距设置有磁铁块（801），位于传送带（1）两侧的所述支撑侧杆（802）之间处设置有收集组件； 所述收集组件包括底板（9），所述底板（9）的顶面设置有若干个收集板（901），所述收集板（901）将底板（9）分隔成和通道相对应的下料道，所述收集板（901）远离传送带（1）的顶面设置有第一盖板（902），所述收集板（901）靠近传送带（1）处设置有收集口（10），所述收集口（10）包括第一倾斜面（11）和第二倾斜面（12），所述收集板（901）的顶面位于第二倾斜面（12）处设置有第二盖板（903），所述第二盖板（903）靠近传送带（1）的侧壁且位于下料道的上方处均设置有折板（904），所述下料道靠近传送带（1）处均设置有滚轴（905），所述滚轴（905）上转动连接有分隔组件（906），所述分隔组件（906）包括轴套和设置在其上的一个间停板（907）和两个分隔板（908）； 所述变向传送带（8）的运行方向为顺时针。

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