台湾积体电路制造股份有限公司林振昇获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体堆叠结构获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223156028U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202421498502.7,技术领域涉及:H01L23/488;该实用新型半导体堆叠结构是由林振昇;姜宁;史朝文;丁国强;陈燕铭设计研发完成,并于2024-06-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体堆叠结构在说明书摘要公布了:本实用新型提供包括第一管芯及与第一管芯接合的第二管芯的半导体堆叠结构。第一管芯具有第一区及被第一区包围的第二区。第一管芯包括具有第一密封环结构的第一金属化结构及具有位于第一密封环结构之上的第一虚设接垫的第一接合结构。第二管芯包括具有第二密封环结构的第二金属化结构及具有位于第二密封环结构之上的第二虚设接垫的第二接合结构。第一管芯与第二管芯藉由第一接合结构与第二接合结构的接合而接合。第一密封环结构与第二密封环结构大体上在垂直方向上对齐,且第一虚设接垫分别与第二虚设接垫接合。
本实用新型半导体堆叠结构在权利要求书中公布了:1.一种半导体堆叠结构,其特征在于,包括: 第一管芯,具有第一区及被所述第一区包围的第二区,其中所述第一管芯包括嵌入于第一绝缘材料中的第一金属化结构以及位于所述第一绝缘材料及所述第一金属化结构之上的第一接合结构,其中在所述第一区中,所述第一金属化结构包括第一密封环结构,且所述第一接合结构包括位于所述第一密封环结构之上的第一虚设接垫;以及 第二管芯,堆叠于所述第一管芯上且与所述第一管芯接合,其中所述第二管芯包括嵌入于第二绝缘材料中的第二金属化结构以及位于所述第二绝缘材料及所述第二金属化结构之上的第二接合结构,其中所述第二金属化结构包括第二密封环结构,且所述第二接合结构包括位于所述第二密封环结构之上的第二虚设接垫, 其中所述第一管芯与所述第二管芯藉由所述第一接合结构与所述第二接合结构的接合而接合,所述第一密封环结构与所述第二密封环结构大体上在垂直方向上对齐,且所述第一虚设接垫分别与所述第二虚设接垫接合。
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