北京北方华创微电子装备有限公司杨健获国家专利权
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龙图腾网获悉北京北方华创微电子装备有限公司申请的专利上电极结构及半导体工艺设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118737797B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410815126.8，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权上电极结构及半导体工艺设备是由杨健;冯颜召;赵晨光;宋玲彦;马迎功;周麟;李世林;郭冰亮设计研发完成，并于2024-06-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本上电极结构及半导体工艺设备在说明书摘要公布了：本申请公开一种上电极结构及半导体工艺设备，涉及半导体制造技术领域，上述的上电极结构包括第一壳体、第二壳体和电容调节装置，第二壳体设于第一壳体之内，且第一壳体与第二壳体之间具有间隙，电容调节装置设于间隙中，用于调节第一壳体与第二壳体之间的局部区域的电容。可以利用电容调节装置调节第一壳体和第二壳体之间的局部区域的电容，由于第二壳体内的射频能量会通过电容耦合的方式传递至第一壳体，在第一壳体和第二壳体的电容变化的区域，射频能量的传递量也会随之产生变化，从而可以通过控制射频能量的传递量的方式，对第二壳体内的射频能量的均匀性进行调节，进而能够提升工艺的均匀性，保证了半导体制造过程的良品率。
本发明授权上电极结构及半导体工艺设备在权利要求书中公布了：1.一种上电极结构，用于物理气相沉积设备，其特征在于，包括第一壳体（110）、第二壳体（120）和电容调节装置（130）； 所述第二壳体（120）设于所述第一壳体（110）之内，所述第二壳体（120）包括用于传递射频能量且相连的扩散板（121）和导电筒（122），所述第二壳体（120）内非对称设置有多个零部件，且所述第一壳体（110）与所述第二壳体（120）之间具有间隙，所述电容调节装置（130）设于所述间隙中，用于调节所述第一壳体（110）与所述第二壳体（120）之间的局部区域的电容，以调节所述第二壳体（120）内的射频能量的均匀性。
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