泰州佳佑电子科技有限公司殷仁平获国家专利权
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龙图腾网获悉泰州佳佑电子科技有限公司申请的专利半导体分立器件封装用高密度引线框架获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223156030U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202421415594.8,技术领域涉及:H01L23/495;该实用新型半导体分立器件封装用高密度引线框架是由殷仁平;赵晖设计研发完成,并于2024-06-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体分立器件封装用高密度引线框架在说明书摘要公布了:本实用新型提供半导体分立器件封装用高密度引线框架,涉及引线框架技术领域,包括多个封装组件,每个所述封装组件包括外引线、内引线和基岛,所述基岛表面设有散热结构,所述散热结构覆盖在基岛上表面,所述散热结构为镀银层,通过在基岛表面设置有散热结构,当工作人员将半导体芯片放置在基岛表面后,经过长期工作,半导体芯片表面温度过高,通过设置散热结构,并且散热结构为镀银层,镀银可以提高热传导的效率,从而降低接触热阻,通过在翻盖表面开设有散热孔,从而使得热量可通过散热孔向外界快速扩散,从而延长了半导体芯片的使用寿命。
本实用新型半导体分立器件封装用高密度引线框架在权利要求书中公布了:1.半导体分立器件封装用高密度引线框架,其特征在于:包括多个封装组件1,每个所述封装组件1包括外引线2、内引线3和基岛4,所述基岛4表面设有散热结构5,所述散热结构5覆盖在基岛4上表面,所述散热结构5为镀银层。
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