广州增芯科技有限公司刘欣获国家专利权
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龙图腾网获悉广州增芯科技有限公司申请的专利一种阱区离子注入方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118352227B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410470720.8，技术领域涉及：H01L21/266；该发明授权一种阱区离子注入方法是由刘欣;苏洋;孙九龙;康小磊设计研发完成，并于2024-04-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种阱区离子注入方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种阱区离子注入方法，包括：提供一衬底，衬底中设置有若干有源区，若干有源区之间设有浅沟槽隔离结构；在衬底的表面形成衬垫氧化层；在衬垫氧化层表面形成阱区图形化的光刻胶层；在阱区图形化的光刻胶层上形成侧墙阻挡层；刻蚀侧墙阻挡层，在阱区图形化的光刻胶层的边缘形成侧墙，侧墙的宽度在浅沟槽隔离结构的边界边界以内；以阱区图形化的的光刻胶层与侧墙为掩膜进行离子注入，以在衬底中形成阱区。本发明提供的技术方案，解决了离子注入时会诱发的阱邻近效应的问题。
本发明授权一种阱区离子注入方法在权利要求书中公布了：1.一种阱区离子注入方法，其特征在于，包括： 提供一衬底，所述衬底中设置有若干有源区，所述若干有源区之间设有浅沟槽隔离结构； 在所述衬底的表面形成衬垫氧化层； 在所述衬垫氧化层表面形成阱区图形化的光刻胶层； 对所述光刻胶层进行固化处理，以在形成阱区图形化的表面部分的光刻胶层中形成固化层； 在所述阱区图形化的光刻胶层上通过低于200℃的化学气相沉积形成侧墙阻挡层； 刻蚀所述侧墙阻挡层，在所述阱区图形化的光刻胶层的边缘形成侧墙，所述侧墙的宽度在所述浅沟槽隔离结构的边界边界以内； 以所述阱区图形化的的光刻胶层与所述侧墙为掩膜进行离子注入，以在所述衬底中形成阱区； 其中，所述侧墙侧边与所述衬底表面的夹角为80°～85°，所述光刻胶层厚度为1.4μm～4μm；所述侧墙阻挡层厚度为0.12μm～0.71μm。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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