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龙图腾网获悉中环领先半导体科技股份有限公司申请的专利一种硅片加工方法和硅片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118507345B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410397425.4，技术领域涉及：H01L21/324；该发明授权一种硅片加工方法和硅片是由陈喜刚;谢江华;林涛;刘茂;曹锦伟;谭永麟;葛晗;徐斯远设计研发完成，并于2024-04-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种硅片加工方法和硅片在说明书摘要公布了：本申请公开了一种硅片加工方法和硅片。该硅片加工方法，用于加工待处理的硅片，硅片加工方法包括：将硅片进行第一次退火处理，第一次退火处理具有第一退火温度T1，第一次退火处理具有第一退火时间t1；将经过第一次退火处理的硅片进行第二次退火处理，第二次退火处理具有第二退火温度T2，第二次退火处理具有第二退火时间t2；满足：T1≥T2，t2t1。本申请通过在硅片加工过程中对待处理的硅片进行两次退火处理，并控制第一次退火处理的温度大于或等于第二次退火处理的温度，第一次退火处理的时间小于第二次退火处理的时间，在氧含量差异不大的情况下，可以消除硅片头尾热历史的影响，可以将硅片的氧沉淀控制在一定范围内。

本发明授权一种硅片加工方法和硅片在权利要求书中公布了：1.一种硅片加工方法，其特征在于，用于加工待处理的硅片，所述硅片加工方法包括： 将所述硅片进行第一次退火处理，以提供空位模板，所述第一次退火处理具有第一退火温度T1，所述第一次退火处理具有第一退火时间t1； 将所述硅片进行第一次退火处理包括： 将所述硅片放置在第一退火炉中； 向所述第一退火炉中通入惰性气体和氧气； 将所述第一退火炉按照由第一温度T3升温至所述第一退火温度T1以对所述硅片进行第一次退火处理； 将经过所述第一次退火处理的所述硅片进行第二次退火处理，以在所述空位模板处形核长大体微缺陷，所述体微缺陷的密度范围为1.09E9～1.43E9eacm3，所述第二次退火处理具有第二退火温度T2，所述第二次退火处理具有第二退火时间t2； 满足：T1≥T2，t2t1； 所述第一退火温度T1的范围为1100~1250℃； 所述第二退火温度T2的范围为1100~1250℃； 所述第一退火时间t1的范围为10~15s； 所述第二退火时间t2的范围为3000~4000s； 在对所述硅片进行第一次退火处理之后，还包括： 将所述第一退火炉按照第一降温速率V2由所述第一退火温度T1降温至第二温度T4，以在所述硅片表面和内部形成空位模版浓度差。

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