天合光能股份有限公司王浩获国家专利权
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龙图腾网获悉天合光能股份有限公司申请的专利一种TOPCon电池制备方法及TOPCon电池获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118352429B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410366676.6，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种TOPCon电池制备方法及TOPCon电池是由王浩;刘成法;陈红;刘闯设计研发完成，并于2024-03-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种TOPCon电池制备方法及TOPCon电池在说明书摘要公布了：本发明涉及一种TOPCon电池制备方法，包括：利用PECVD在n型硅衬底上沉积宽带隙氢化非晶氧化硅层，在所述氢化非晶氧化硅层表面沉积n+非晶硅层，退火后形成宽带隙多晶硅层。本发明的方法可以在不减小多晶硅层厚度的情况下降低多晶硅层的寄生吸收，提高TOPCon电池的吸光强度，提高电流密度。同时，氧原子参与促进形成二氧化硅隧穿层，掺杂引入更多的氢原子能有效钝化缺陷提升开路电压，进一步提高电池效率。
本发明授权一种TOPCon电池制备方法及TOPCon电池在权利要求书中公布了：1.一种TOPCon电池制备方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤： S1在n型硅衬底的背面沉积宽带隙的氢化非晶氧化硅层； S2在得自步骤S1的氢化非晶氧化硅层表面沉积n+非晶硅层； S3将得自步骤S2的结构退火，在所述n型硅衬底的背面形成二氧化硅隧穿层和宽带隙多晶硅层； 其中，步骤S1中，利用PECVD使用SiH4、H2和CO2沉积所述氢化非晶氧化硅层。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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