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龙图腾网获悉浙江大学金华研究院申请的专利一种高通、陡截止的宽入射角频率选择结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118412659B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410248301.X，技术领域涉及：H01Q15/00；该发明授权一种高通、陡截止的宽入射角频率选择结构是由吴云龙;李尔平;李达设计研发完成，并于2024-03-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高通、陡截止的宽入射角频率选择结构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高通、陡截止的宽入射角频率选择结构。结构包括相互垂直穿插布置的第一和第二选择组件，第一和第二选择组件均包括带有切槽的介质基板和介质基板两个表面上的回形导电几何结构和C形导电几何结构，导电几何结构通过导电金属过孔互相连接。本发明能够对5GHz以下、任意极化方向、0～60度宽入射角范围内的空间电磁波实现高通滤波功能，并且通带与阻带之间的过渡带非常窄，具有陡截止效果；本发明还解决了现有技术中通带带宽窄、通带与阻带间过渡带宽以及入射角范围窄的局限性，并且易于加工制作，可被广泛应用于通信基站、雷达、卫星通信以及飞行器等平台的天线罩中。

本发明授权一种高通、陡截止的宽入射角频率选择结构在权利要求书中公布了：1.一种高通、陡截止的宽入射角频率选择结构，其特征在于： 包括若干相互均匀间隔平行布置的矩形板状的第一选择组件（10）以及若干相互均匀间隔平行布置的矩形板状的第二选择组件（20），各个第一选择组件（10）和各个第二选择组件（20）相互正交且垂直穿插布置；每个第一选择组件（10）的两侧面均沿自身长度方向划分为若干矩形的第一导电几何结构印制区域，每个第一导电几何结构印制区域上均印制有相同的第一导电几何结构；每个第二选择组件（20）的两侧面均沿自身长度方向划分为若干矩形的第二导电几何结构印制区域，每个第二导电几何结构印制区域上均印制有相同的第二导电几何结构；每个第一导电几何结构印制区域穿插在其中两个相邻的第二选择组件（20）之间，每个第二导电几何结构区域穿插在其中两个相邻的第一选择组件（10）之间； 所述的第一选择组件（10）为带有若干间隔布置的第一切槽的第一介质基板（11），第二选择组件（20）为带有若干间隔布置的第二切槽的第二介质基板（21）； 第一导电几何结构包括回形螺旋导电几何结构（1A2、1B2）和C形导电几何结构（1A3、1B3），C形导电几何结构（1A3、1B3）的四个顶角连接形成矩形且依次开设有贯通第一介质基板（11）的板面的导电金属过孔（16、17、18、19），第五导电金属过孔（18）和第六导电金属过孔（19）位于相邻的两个第一切槽之间，第一介质基板（11）两侧面上的C形导电几何结构（1A3、1B3）通过导电金属过孔（16、17、18、19）连通；回形螺旋导电几何结构（1A2、1B2）的两端分别开设有贯通第一介质基板（11）的板面的导电金属过孔（14、15），第一导电金属过孔（14）位于第一导电几何结构印制区域的中心，第一介质基板（11）两侧面上的回形螺旋导电几何结构（1A2、1B2）通过第一导电金属过孔（14）连通，第二导电金属过孔（15）靠近第一切槽，第一介质基板（11）一侧面上的第一回形螺旋导电几何结构（1A2）和第一介质基板（11）另一侧面上的与其不正对但相邻的一个第二回形螺旋导电几何结构（1B2）通过第二导电金属过孔（15）连通； 第二导电几何结构包括回形螺旋导电几何结构（2A2、2B2）和C形导电几何结构（2A3、2B3），C形导电几何结构（2A3、2B3）的四个顶角连接形成矩形且依次开设有贯通第二介质基板（21）的板面的导电金属过孔（26、27、28、29），第九导电金属过孔（26）和第十导电金属过孔（27）位于相邻的两个第二切槽之间，第二介质基板（21）两侧面上的C形导电几何结构（2A3、2B3）通过导电金属过孔（26、27、28、29）连通；回形螺旋导电几何结构（2A2、2B2）的两端分别开设有贯通第二介质基板（21）的板面的导电金属过孔（24、25），第七导电金属过孔（24）位于第二导电几何结构印制区域的中心，第二介质基板（21）两侧面上的回形螺旋导电几何结构（2A2、2B2）通过第七导电金属过孔（24）连通，第八导电金属过孔（25）靠近第二切槽，第二介质基板（21）一侧面上的第三回形螺旋导电几何结构（2A2）和第二介质基板（21）另一侧面上的与其不正对但相邻的一个第四回形螺旋导电几何结构（2B2）通过第八导电金属过孔（25）连通。

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