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龙图腾网获悉西安微电子技术研究所申请的专利一种三维电容单元结构、三维电容及其芯片立体集成结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117525044B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311596634.3，技术领域涉及：H01L23/64；该发明授权一种三维电容单元结构、三维电容及其芯片立体集成结构是由李宝霞;何亨洋;张辽辽;陈新鹏;潘鹏辉;雷婧;张雨婷;武洋;吴玮设计研发完成，并于2023-11-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种三维电容单元结构、三维电容及其芯片立体集成结构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种三维电容单元结构、三维电容及其芯片立体集成结构，包括晶圆；晶圆上刻蚀形成有错位式六边形排布三齿齿轮状硅柱阵列，硅壁上形成有带硅壁凸起；硅柱、硅壁和凹槽的表面生长有晶圆绝缘层；晶圆绝缘层上生长有三维电容层；各个硅柱顶端，以及硅壁凸起顶端设置有第一分布式电极和第二分布式电极；第一分布式电极和第二分布式电极连接第一平面金属再分布层和第二平面金属再分布层；第一平面金属再分布层和第二平面金属再分布层连接焊盘。通过采用三齿齿轮状硅柱在硅柱阵列周期不变的情况下，增大了硅柱侧壁面积，有利于进一步提高电容密度，并且仍然能保证凹槽间隙的均匀性。

本发明授权一种三维电容单元结构、三维电容及其芯片立体集成结构在权利要求书中公布了：1.一种三维电容单元结构，其特征在于，包括晶圆（1）； 所述晶圆（1）上刻蚀形成有错位式六边形排布三齿齿轮状硅柱（1a）阵列，硅壁（1b）上形成有带硅壁凸起（1ba）； 所述硅柱（1a）、硅壁（1b）和凹槽（1c）的表面生长有晶圆绝缘层（2）；所述晶圆绝缘层（2）上生长有三维电容层（19）； 所述三维电容层（19）包括第一电极层（3）、第一介质层（4）、第二电极层（5）、第二介质层（6）、第三电极层（7）和填埋层（8）； 所述晶圆绝缘层（2）上依次生长有第一电极层（3）、第一介质层（4）、第二电极层（5）、第二介质层（6）、第三电极层（7）；所述第三电极层（7）表面凹槽形成有填埋层（8）； 一部分硅柱（1a）顶端，以及一部分硅壁凸起（1ba）顶端设置有第一分布式电极（11），其余部分硅柱（1a）顶端以及其余部分硅壁凸起（1ba）顶端设置有第二分布式电极（12）； 第一分布式电极（11）和第二分布式电极（12）分别连接第一平面金属再分布层（14）和第二平面金属再分布层（15）；第一平面金属再分布层（14）和第二平面金属再分布层（15）分别连接焊盘（16）；第一分布式电极（11）通过电极层间导电孔（9）与第一电极层（3）和所述第三电极层（7）电连接，而第二分布式电极（12）与第二电极层（5）电连接。

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