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龙图腾网获悉深圳市汇芯通信技术有限公司申请的专利氮化镓外延片及其制造方法及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117558745B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311523642.5，技术领域涉及：H10D62/85；该发明授权氮化镓外延片及其制造方法及半导体器件是由樊永辉;许明伟;樊晓兵设计研发完成，并于2023-11-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本氮化镓外延片及其制造方法及半导体器件在说明书摘要公布了：本申请公开了一种氮化镓外延片及其制造方法及半导体器件。氮化镓外延片包括单晶金刚石衬底；晶格匹配层，晶格匹配层设置于金刚石衬底的一侧；氮化镓外延层，氮化镓外延层设置于晶格匹配层的远离金刚石衬底的一侧；晶格匹配层靠近氮化镓外延层的一侧的晶格常数匹配氮化镓材料的晶格常数。本申请通过设置晶格匹配层来匹配单晶金刚石衬底与氮化镓外延层之间的晶格，从而可以直接在金刚石衬底上制备氮化镓外延层，达到简化工艺流程、提升芯片性能降低了制造成本的目的。

本发明授权氮化镓外延片及其制造方法及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种氮化镓外延片，其特征在于，包括： 单晶金刚石衬底； 晶格匹配层，所述晶格匹配层设置于所述金刚石衬底的一侧； 氮化镓外延层，所述氮化镓外延层设置于所述晶格匹配层的远离所述金刚石衬底的一侧； 所述晶格匹配层靠近所述氮化镓外延层的一侧的晶格常数匹配氮化镓材料的晶格常数； 所述晶格匹配层包括： 缓冲层，所述缓冲层的厚度大于等于0.2μm，所述缓冲层的厚度小于等于2微米；所述缓冲层为未掺杂的高阻氮化铝材质； 过渡层，设置于所述缓冲层远离所述单晶金刚石衬底的一侧，所述过渡层的厚度大于等于0.3μm，所述过渡层的厚度小于等于3μm；所述过渡层为铟铝氮化物材质，所述过渡层自靠近所述金刚石衬底一侧至靠近所述氮化镓外延层的一侧，铟的含量逐渐降低至17%，铝的含量逐渐升高至83%； 超晶格结构层，设置于所述过渡层远离所述缓冲层一侧，所述超晶格结构层包括若干顺序叠层的第一超晶格层、第二超晶格层、······第n超晶格层；所述超晶格结构层为铝铟镓氮化物，相邻的超晶格层中铝、铟、镓三种元素的至少一种的组分含量不同；所述超晶格结构层靠近所述金刚石衬底一侧的铝含量大于靠近所述氮化镓外延层的一侧的铝含量。

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