湖北九峰山实验室吴畅获国家专利权
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龙图腾网获悉湖北九峰山实验室申请的专利一种具有强极化异质结沟道的Fin-HEMT及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117059661B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310995082.7，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种具有强极化异质结沟道的Fin-HEMT及其制备方法是由吴畅;王凯;耿茂华;周瑞;黄镇设计研发完成，并于2023-08-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有强极化异质结沟道的Fin-HEMT及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种具有强极化异质结沟道的Fin‑HEMT及其制备方法，属于半导体器件技术领域。该Fin‑HEMT包括衬底、沉积于衬底上的缓冲层、至少一组沉积于缓冲层上的异质结沟道、栅极、源极和漏极；每组异质结沟道包括作为沟道层的GaN层和作为势垒层的ε相氧化镓层，势垒层沉积于沟道层表面。沟道层和势垒层界面处通过极化产生二维电子气；异质结沟道两侧分别刻蚀有深至缓冲层的再生长区域用于沉积源极和漏极。异质结沟道上沿栅宽方向间隔开设有若干个深至缓冲层的凹槽，被凹槽隔开的区域形成鳍形结构。栅极由沉积于鳍形结构上的金属层和嵌设凹槽中的金属层组成。该器件具有高耐压、高迁移率、高输出功率和低导通电阻的特点。
本发明授权一种具有强极化异质结沟道的Fin-HEMT及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有强极化异质结沟道的Fin-HEMT，其特征在于，包括衬底、沉积于所述衬底上的缓冲层、至少一组沉积于所述缓冲层上的异质结沟道，以及栅极、源极和漏极；每组所述异质结沟道包括沟道层和势垒层，所述势垒层沉积于所述沟道层表面；所述沟道层和所述势垒层之间形成二维电子气；所述沟道层为非故意掺杂的GaN层，所述势垒层为非故意掺杂的ε-Ga2O3层；所述异质结沟道相对的两侧分别刻蚀有再生长区域，每个所述再生长区域的刻蚀深度深至所述缓冲层；所述源极和所述漏极分别沉积于两个所述再生长区域；所述异质结沟道上沿栅宽方向间隔开设有若干个深至所述缓冲层的凹槽，所述异质结沟道上沿所述栅宽方向被若干个所述凹槽隔开的区域形成Fin结构；所述栅极由沉积于所述Fin结构上的金属层和嵌设于所述凹槽中的金属层组成。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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