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龙图腾网获悉福建汉芯科技有限公司申请的专利一种用于半导体级和电子级的氢氟酸高效精馏装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116870509B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310950241.1，技术领域涉及：B01D3/14；该发明授权一种用于半导体级和电子级的氢氟酸高效精馏装置是由应韵进;陈建华;蓝江煌设计研发完成，并于2023-07-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于半导体级和电子级的氢氟酸高效精馏装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种用于半导体级和电子级的氢氟酸高效精馏装置，涉及氢氟酸制备技术领域，包括塔体，还包括升降板，设置在塔体内腔顶部；升降机构，设置在升降板与塔体之间，用于驱动升降板在塔体内上下移动；旋转圈，设置在升降板底部。本发明通过升降机构与旋转机构驱动工业摄像头和测厚仪在塔体内壁做螺旋线移动，对每次制备完成后的塔体内壁进行检测，若是检测时发现制备的半导体级和电子级氢氟酸的纯度不合格，对塔体内壁的材料进行针对性杂质检测，不需要对杂质进行先提取再分析，便可及时发现塔体内壁因被腐蚀导致半导体级和电子级氢氟酸制备纯度不合格的问题。

本发明授权一种用于半导体级和电子级的氢氟酸高效精馏装置在权利要求书中公布了：1.一种用于半导体级和电子级的氢氟酸高效精馏装置，包括塔体（1），其特征在于：还包括 升降板（2），设置在塔体（1）内腔顶部； 升降机构（3），设置在升降板（2）与塔体（1）之间，用于驱动升降板（2）在塔体（1）内上下移动； 旋转圈（4），设置在升降板（2）底部； 工业摄像头（5）、测厚仪（6），安装在旋转圈（4）靠近塔体（1）内壁的一侧； 旋转机构（7），用于驱动旋转圈（4）旋转，使工业摄像头（5）和测厚仪（6）随着旋转圈（4）旋转和升降板（2）的升降进行螺旋线移动，工业摄像头（5）旋转获取塔体（1）内壁腐蚀区域的变化信息，将信息传递至测厚仪（6），通过测厚仪（6）测量腐蚀区域的深度变化信息； 中央处理器（8），获取塔体（1）内壁腐蚀区域的变化信息和腐蚀区域的深度变化信息，通过腐蚀区域的变化信息获取腐蚀区域数量的增量、腐蚀区域平均开口面积的增量、腐蚀区域最大开口面积的增量，通过腐蚀区域的深度变化信息获取腐蚀区域平均深度的增量、腐蚀区域最大深度的增量，获取后，建立数据分析模型，生成影响系数，通过影响系数对塔体（1）内壁进行监测； 其中，获取塔体（1）内壁腐蚀区域的变化信息和腐蚀区域的深度变化信息后，通过工业摄像头（5）和测厚仪（6）将塔体（1）内壁腐蚀区域的变化信息和腐蚀区域的深度变化信息传递至中央处理器（8），通过中央处理器（8）对腐蚀区域的变化信息和腐蚀区域的深度变化信息进行进一步处理，进一步处理的过程如下：将塔体（1）内壁划分为n个相同的区域，将划分后的区域标定为M1，获取M1内运行T时间后腐蚀区域的变化信息和腐蚀区域的深度变化信息，通过腐蚀区域的变化信息获取腐蚀区域数量的增量、腐蚀区域平均开口面积的增量、腐蚀区域最大开口面积的增量，通过腐蚀区域的深度变化信息获取腐蚀区域平均深度的增量、腐蚀区域最大深度的增量，获取后，将腐蚀区域数量的增量、腐蚀区域平均开口面积的增量、腐蚀区域最大开口面积的增量、腐蚀区域平均深度的增量、腐蚀区域最大深度的增量分别标定为SLi、PJMi、ZDMi、PJSi、ZDSi，在通过中央处理器（8）建立数据分析模型，生成影响系数，依据的公式为： ； 式中，PGZ为影响系数，、、、、分别为腐蚀区域数量的增量、腐蚀区域平均开口面积的增量、腐蚀区域最大开口面积的增量、腐蚀区域平均深度的增量、腐蚀区域最大深度的增量的预设比例系数，且、、、、均大于等于0。

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