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龙图腾网获悉中船(邯郸)派瑞特种气体股份有限公司申请的专利一种乙硅烷的制备方法及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116902987B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310817508.X，技术领域涉及：C01B33/04；该发明授权一种乙硅烷的制备方法及应用是由李欣;陈润泽;张露露;王佳佳;吝秀峰;孙加其;吕浩然;商洪涛设计研发完成，并于2023-07-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种乙硅烷的制备方法及应用在说明书摘要公布了：本发明提供了一种乙硅烷的制备方法及应用，该方法包括以下步骤：将甲硅烷气体及其他气体进入气体混合装置内混合均匀，然后进入等离子体发生装置内，控制等离子体电参数。最后将反应产物乙硅烷采出后进入收集冷阱，充装至钢瓶，得到转化率为90％的乙硅烷产品。利用该方法制备的乙硅烷经二级精馏提纯后，易得到纯度为99.999％的乙硅烷，之后采用LPCVD方式制备多晶硅薄膜，得到了更低的工艺温度条件下生长的Si层。

本发明授权一种乙硅烷的制备方法及应用在权利要求书中公布了：1.一种乙硅烷的制备方法，其特征在于：包括以下步骤， S1.气体混合，将甲硅烷气体及保护气通入气体混合装置（5）； S2.电离放电，气体混合装置（5）内的气体通过流量计（6）进入等离子体发生装置（8）； S3.冷凝分离，等离子体发生装置（8）反应产生的气体冷凝分离，甲硅烷气体通过气体回流管（10）进入气体混合装置（5），乙硅烷混合气体进入冷阱（9）； S4.二级精馏，将冷阱（9）的产物进行二级精馏，得到乙硅烷； S1中所述甲硅烷气体与保护气的体积比为2:3~3:2，所述甲硅烷气体流速300~500mLmin； S3中所述冷阱气体与液氮换热，冷却至-10℃后充装至钢瓶，先将钢瓶中的产物汽化，汽化温度为30~40℃，然后进行二级精馏，二级精馏的条件如下， 脱轻条件是气流速率为200mL~400mLmin冷媒温度为-15℃~-10℃，精馏压力为0.2MPa~0.3MPa，精馏温度为-5℃~10℃，脱去的轻组分有氢气、氮气和硅烷； 脱重条件是气流速率为100mL~150mLmin，冷媒温度为-10℃~0℃，精馏压力为0.15MPa~0.25MPa，精馏温度为0℃~5℃，脱去的重组分有水和高硅烷。

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