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龙图腾网获悉江苏师范大学申请的专利一种用于有机环境污染物检测的表面增强拉曼检测芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116577315B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310569710.5，技术领域涉及：G01N21/65；该发明授权一种用于有机环境污染物检测的表面增强拉曼检测芯片及其制备方法是由韩彩芹;张恒畅;王琴;段培同;吴莹设计研发完成，并于2023-05-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于有机环境污染物检测的表面增强拉曼检测芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：一种用于有机环境污染物检测的表面增强拉曼检测芯片及其制备方法，该芯片包括位于上层的银纳米棒、位于中间层的氮化硼和位于下层的银纳米棒，所述位于上层的银纳米棒和位于下层的银纳米棒的生长方向相反，均朝向氮化硼层的方向生长；该方法包括如下步骤：在电子束蒸发系统中，利用倾斜角沉积技术在洁净的基板上制备银纳米棒阵列结构，即得到芯片中位于上层的银纳米棒；制备氮化硼层得到BN@AgNR基底；在电子束蒸发系统中，利用倾斜角沉积技术得到AgNR@BN@AgNR。该方法工艺简单，所制备得到的芯片可大幅度增强SERS效应，增强SERS信号，从而提高SERS检测灵敏度，降低检测限，可广泛应用于有机环境污染物检测领域。

本发明授权一种用于有机环境污染物检测的表面增强拉曼检测芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种用于有机环境污染物检测的表面增强拉曼检测芯片的制备方法，其特征在于，所述芯片包括位于上层的银纳米棒、位于中间层的氮化硼和位于下层的银纳米棒，所述位于上层的银纳米棒和位于下层的银纳米棒的生长方向相反，均朝向氮化硼层的方向生长；氮化硼的厚度为0.5-1nm，银纳米棒的直径为54-74nm； 所述制备方法包括以下步骤： （1）在电子束蒸发系统中，利用倾斜角沉积技术在洁净的基板上制备银纳米棒阵列结构：将切割成方形的基板洗净、吹干，固定在沉积室中的样品台上，当沉积室压力达到5×10-8Torr时，通过高压和电子束蒸发，在玻璃片上沉积棒长为1000nm、倾斜角度为86°的银薄膜，得到排列均匀的银纳米棒AgNRs作为目标基底； （2）制备氮化硼层： （2-1）将一定量的PMMA苯甲醚溶液滴加到氮化硼铜基表面，使用旋涂机高速旋转以形成PMMA保护薄膜从而得到PMMABNCu； （2-2）将PMMABNCu置于加热台上形成PMMA固化保护薄膜； （2-3）将PMMABNCu放入FeCl3蚀刻剂中进行腐蚀，8-12min后利用干净的玻璃片或硅片将PMMABNCu捞起，然后放在去离子水中超声振荡1-2min，以冲洗干净铜箔背面的生长物； （2-4）将PMMABNCu再放入FeCl3蚀刻剂中继续腐蚀直至铜箔被完全腐蚀，用干净的玻璃片或者硅片将PMMABN再次捞起，并用去离子水反复清洗，然后用步骤（1）制备得到的目标基底将PMMABN捞起，充分干燥BN与目标基底之间的水分； （2-5）在PMMABNAgNR上滴加PMMA溶解液溶解步骤（2-2）形成的PMMA固化保护薄膜，然后滴加丙酮冲洗目标表面，静置25-35s后重复操作直到PMMA薄膜被冲洗干净；接着将BNAgNR浸泡在无水乙醇中1-2min，溶解残留的丙酮，最后充分干燥被BN覆盖的基底表面的水分得到BN@AgNR基底，然后置于80°C的陶瓷管式炉中退火2h，设置管式炉的升温速率2°Cs； （3）将BN@AgNR基底固定在电子束蒸发镀膜机的样品台上，标记步骤（1）制备得到的银纳米棒AgNRs的生长方向，将样品台反向旋转180°，以2Ås的速率继续沉积棒长为1000nm的倾斜银棒，最终得到结构呈AgNR@BN@AgNR的表面增强拉曼检测芯片。

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