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龙图腾网获悉中国人民解放军空军工程大学申请的专利一种虚拟可变凹坑等离子体湍流摩擦减阻装置及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116443238B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310422836.X，技术领域涉及：B64C21/10；该发明授权一种虚拟可变凹坑等离子体湍流摩擦减阻装置及制备方法是由宗豪华;方子淇;吴云;苏志;梁华设计研发完成，并于2023-04-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种虚拟可变凹坑等离子体湍流摩擦减阻装置及制备方法在说明书摘要公布了：一种虚拟可变凹坑等离子体湍流摩擦减阻装置，包括凹坑平板1和虚拟凹坑等离子体激励器2。凹坑平板1上的凹坑为交错排列或矩阵型排列。虚拟凹坑等离子激励器2布置于凹坑平板1上，为介质阻挡放电等离子体激励器，包括高压电极21、介质层22和低压电极23。还提供一种一种虚拟可变凹坑等离子体湍流摩擦减阻方法，以及一种基于掩膜喷涂的柔性等离子体激励器快速制备方法。本发明将等离子体激励主动流动控制技术与凹坑被动流动控制技术相结合，利用等离子体激励所形成的虚拟凹坑形面，提高凹坑对流场的扰动强度，增强减阻效果。此外，可变凹坑等离子体气动激励装置的强度可根据来流条件调节，本发明方法易于与传感器结合，形成闭环自适应的湍流摩擦减阻装置。

本发明授权一种虚拟可变凹坑等离子体湍流摩擦减阻装置及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种虚拟可变凹坑等离子体湍流摩擦减阻装置，该装置包括凹坑平板1和虚拟凹坑等离子体激励器2；其特征在于 建立空间直角坐标系，假设x轴方向为流向，y轴方向为法向，z轴方向为展向； 凹坑平板1为绝缘、耐热材料制备而成，凹坑平板1上的凹坑为交错排列或矩阵型排列； 1在交错排列情况下，沿流向，每列凹坑中心与其下一列凹坑中心的流向间距为Lx；沿展向，每行凹坑中心与下一行凹坑中心的展向间距为Lz；交错排列指的是，假设共有2n+1排、2m+1列凹坑，n、m均为非零正整数，则相邻奇数或偶数行中的相邻奇数或偶数列，共包括4个凹坑，这4个凹坑中心构成一个矩形，这里的行、列指的是总体阵列的行和列；该相邻奇数或偶数行之间的偶数或奇数行、该相邻奇数或偶数列之间的偶数或奇数列，只包含一个凹坑，这个凹坑中心恰位于4个凹坑的中心； 2在矩阵型排列情况下，则是标准矩阵排列，呈P*Q矩阵，具有P行、Q列，P、Q均为大于等于2的正整数； 虚拟凹坑等离子体激励器（2）为介质阻挡放电等离子体激励器，自上而下包括高压电极21、介质层22和低压电极23；虚拟凹坑等离子体激励器2布置于凹坑平板1上，整体尺寸小于或等于凹坑平板1的尺寸； 低压电极23整体呈现矩形薄片状，其几何中心在xoz平面上的投影与凹坑平板1几何中心在xoz平面上的投影重合，低压电极23四条边与凹坑平板1的四条边之间保留一定间距；在低压电极23中留有与凹坑平板1上凹坑相对应的圆孔，该圆孔尺寸与凹坑尺寸一致；低压电极23设置接线端； 介质层22为在水平面投影上为矩形薄片，其上分布有介质层凹坑，介质层凹坑数量、位置、形状与凹坑平板1上的凹坑一致，如果忽略低压电极23的厚度，当把介质层22放到凹坑平板1上时，介质层22下表面与凹坑平板1上表面完全贴合；介质层22整体尺寸小于或等于凹坑平板1的尺寸； 高压电极21包括数量与凹坑相同、位置与其一一对应、形状正好贴合介质层凹坑内部的多个球面电极；这些球面电极通过沿虚拟凹坑等离子体激励器2第一对角线方向及所有与第一对角线方向相平行方向延伸的连接线进行连接，这些连接线仅用于连接相邻球面电极；同时，对第二对角线方向上的球面电极进行连接；高压电极21设置接线端；低压电极23接线端和高压电极21接线端不在一处，且保持一定距离； 低压电极23的圆孔中心和高压电极21的相应球面电极中心位置在xoz平面上的投影重合，球面电极边缘与圆孔边缘恰好对齐，且二者尺寸均与凹坑平板1上凹坑圆形截面直径一致。

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