南京邮电大学储鹏获国家专利权
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龙图腾网获悉南京邮电大学申请的专利多层宽阻带基片集成波导滤波器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116231255B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310397558.7，技术领域涉及：H01P1/208；该发明授权多层宽阻带基片集成波导滤波器是由储鹏;冯建国设计研发完成，并于2023-04-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本多层宽阻带基片集成波导滤波器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种多层宽阻带基片集成波导滤波器，包括若干个顺次设置的金属基片，相邻金属基片之间设有介质基片；相邻金属基片，以及二者之间的介质基片上对应位置处均贯穿有金属化通孔阵列，构成谐振腔；位于同一层的谐振腔独立设置；位于不同层的谐振腔交错叠放，且通过缝隙阵列连接，其中，所述缝隙阵列平行于波导滤波器主模的磁场方向，且所述缝隙阵列设置在波导滤波器部分高次模的最弱磁场处，并垂直于波导滤波器部分高次模的磁场方向。本发明具有足够的阻带宽度，且易于集成。
本发明授权多层宽阻带基片集成波导滤波器在权利要求书中公布了：1.一种多层宽阻带基片集成波导滤波器，其特征在于：包括若干个顺次设置的金属基片，相邻金属基片之间设有介质基片； 相邻金属基片，以及二者之间的介质基片上对应位置处均贯穿有金属化通孔阵列，构成谐振腔； 位于同一层的谐振腔独立设置； 位于不同层的谐振腔交错叠放，且通过缝隙阵列连接，其中，所述缝隙阵列平行于波导滤波器主模的磁场方向，且所述缝隙阵列设置在波导滤波器部分高次模的最弱磁场处，并垂直于波导滤波器部分高次模的磁场方向； 位于最顶层的金属基片上设置有输入端口和输出端口； 上下两个谐振腔上相互靠近的一侧对应位置处均设有缝隙，所有缝隙共同构成缝隙阵列；所述缝隙阵列的位置和方向应当满足以下要求： 缝隙阵列位于TEm0n模的磁场最弱处m为3，5，7，…，n为1，2，3，…；与TEm0n模的磁场相垂直，m为1，2，3，…，n为3，5，7，…；且缝隙阵列与主模的磁场方向平行； 所述缝隙设于位于金属基片上，且所述缝隙为矩形。
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