清华大学;广西三环高科拉曼芯片技术有限公司李世林获国家专利权
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龙图腾网获悉清华大学;广西三环高科拉曼芯片技术有限公司申请的专利银基表面增强拉曼基片杂峰的消除方法及痕量检测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116577314B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310397575.0，技术领域涉及：G01N21/65；该发明授权银基表面增强拉曼基片杂峰的消除方法及痕量检测方法是由李世林;凌云汉;张政军;陈诚;林鹰设计研发完成，并于2023-04-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本银基表面增强拉曼基片杂峰的消除方法及痕量检测方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种银基表面增强拉曼基片杂峰的消除方法，包括：配制含钯离子溶液；采用所述含钯离子溶液对所述银基表面增强拉曼基片的表面进行修饰，使所述钯离子与所述表面结合形成包覆所述表面的钯原子薄层；其中，所述钯原子薄层用于去除所述表面的吸附杂质和氧化物质。该方法在不损伤银基SERS基片灵敏度的前提下，消除了吸附于银基片的杂质峰干扰，解决了纳米银易氧化等问题，并且，该方法操作工艺简单，成本极低，易于推广及大规模生产。
本发明授权银基表面增强拉曼基片杂峰的消除方法及痕量检测方法在权利要求书中公布了：1.一种银基表面增强拉曼基片杂峰的消除方法，包括： 配制含钯离子溶液； 采用所述含钯离子溶液对所述银基表面增强拉曼基片的表面进行修饰，使所述钯离子与所述表面结合形成包覆所述表面的钯原子薄层，所述钯原子薄层的厚度范围为1nm-10nm； 其中，所述钯原子薄层用于去除所述表面的吸附杂质和氧化物质。
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