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龙图腾网获悉苏州纯芯半导体有限公司申请的专利一种基于砷化镓材料的控制电路及其应用的射频前端芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116317998B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310378741.2，技术领域涉及：H03G1/00；该发明授权一种基于砷化镓材料的控制电路及其应用的射频前端芯片是由文忠民;郭冬良;江婷婷;张竹瑞设计研发完成，并于2023-04-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于砷化镓材料的控制电路及其应用的射频前端芯片在说明书摘要公布了：本发明揭示了一种基于砷化镓材料的控制电路及其应用的射频前端芯片，其中控制电路通过接收作为控制信号的电压VEN，面向功率放大器输出控制工作状态切换的电压Vout。作为创新，该控制电路由电阻、砷化镓材料的HEMT晶体管和二极管构成并由VDD提供电源电压，且控制电路包括控制信号驱动级、控制信号反向推动级和控制信号输出级的多级式放大电路。本发明使用砷化镓材料设计并制作控制电路，能实现控制电路与低噪声放大器、开关集成于同一片砷化镓材料的晶片上，简化了研发设计的复杂程度并有利于缩短了研发耗时、缩小芯片尺寸，节省制造成本。

本发明授权一种基于砷化镓材料的控制电路及其应用的射频前端芯片在权利要求书中公布了：1.一种基于砷化镓材料的控制电路，通过接收作为控制信号的电压VEN，面向功率放大器输出控制工作状态切换的电压Vout，其特征在于：所述控制电路由电阻、砷化镓材料的HEMT晶体管和二极管构成并由VDD提供电源电压，且控制电路包括控制信号驱动级、控制信号反向推动级和控制信号输出级的多级式放大电路，其中所述控制信号驱动级的放大电路由电阻R1、R2、R3和HEMT晶体管T1组成，控制信号反向推动级的放大电路由电阻R4、R5和HEMT晶体管T2组成，且控制信号输出级的放大电路由HEMT晶体管T3、T4和砷化镓二极管D1、D2组成，电压VEN连接电阻R1的一端，电阻R1的另一端与电阻R2和HEMT晶体管T1的栅极相连，电阻R2的另一端与HEMT晶体管T1的源极共连接地，HEMT晶体管T1的漏极与电阻R3和电阻R4相连于一点，电阻R3的另一端与电源VDD相连，电阻R4的另一端与HEMT晶体管T2的栅极相连，HEMT晶体管T2的源极接地且漏极与电阻R5和HEMT晶体管T3的栅极相连，电阻R5的另一端和HEMT晶体管T3的漏极均与电源VDD相连，HEMT晶体管T3的源极与HEMT晶体管T4的漏极和栅极共连为控制电路电压Vout的输出端，HEMT晶体管T4的源极通过一组两个且正向串联的砷化镓二极管D1、D2接地； 所述电阻R1、R2、R3均为10KΩ级以上的高阻抗电阻； 所述砷化镓二极管D1、D2的导通电压接近1.25V，所述HEMT晶体管T4栅极和源极之间的导通电压接近0.5V； 所述控制电路由砷化镓芯片加工工艺制成，包含厚度75μm的衬底，底层4μm厚的Au金属接地膜，一层1μm厚的第一Au金属连接线路，一层4μm厚的第二Au金属连接线路，栅极长度为0.5μm的HEMT晶体管，砷化镓二极管和电阻，且两层Au金属连接线路之间成型有一层0.1μm厚的氮化硅绝缘层，并通过氮化硅绝缘层中的固孔局部电气连接。

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