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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种用于桥式驱动的高侧电流检测电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116243131B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310289857.9，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权一种用于桥式驱动的高侧电流检测电路是由方健;梁英东;颜泠;张益森;杨曦禾;唐玲丽;张波设计研发完成，并于2023-03-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于桥式驱动的高侧电流检测电路在说明书摘要公布了：本发明属于功率集成电路技术领域，具体地说是涉及一种用于桥式驱动的高侧电流检测电路。本发明使用NMOS作为高侧功率管进行说明。本发明的主功率管与检测功率管的栅极耦合在一起，源极耦合在一起接到电源VS上。本发明使用PNP晶体管组成的电流镜和PMOS晶体管组成的电流镜级联共同钳位主功率NMOS管和检测功率管NMOS的源端使其电位一致保证检测电流与输出电流按主功率管与检测功率管的宽长比的比例进行缩放，保证了检测电流与被检测电流的之间的精度。本发明可使用在中低压12‑60V的桥式驱动电路。检测电流输出到外部pin脚外接高精度电阻进测量。

本发明授权一种用于桥式驱动的高侧电流检测电路在权利要求书中公布了：1.一种桥式驱动的高侧功率管检测电路，其特征在于，包括第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第一PNP晶体管、第二PNP晶体管、第三PNP晶体管、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第一齐纳二极管、第一二极管、第二二极管、第一NPN晶体管、第二NPN晶体管和第三NPN晶体管；其中，第一NMOS管的栅极连接到高侧功率管驱动电路；第一NMOS管的漏极连接到电源电压VS；第一NMOS管的源极连接到第三NMOS管的漏极；第三NMOS管的栅极连接到低侧功率管驱动电路；第三NMOS管的源极连接到地；第二NMOS管的源极连接到电源电压VS；第二NMOS管的栅极连接到第一NMOS管的栅极；第二NMOS管的源极连接第二PNP晶体管的发射极和第三PNP晶体管的发射极；第一PNP晶体管的发射极连接到第一NMOS管的源极，第一PNP晶体管的基极与集电极连接到第一PMOS管的源极；第二PNP晶体管的基极连接第一PNP晶体管的基极和第三PNP晶体管的基极，第二PNP晶体管的集电极连接到第二PMOS管的源极，第三PNP晶体管的集电极连接到第三PMOS管的源极；第一PMOS管的栅极连接到其漏极构成二极管连接形式；第二PMOS管的栅极和第三PMOS管的栅极连接到第一PMOS管的栅极；第三PMOS管的漏极连接到第三二极管的阳极；第三二极管的阴极连接到输出pin脚；第一PMOS管的漏极连接到第六NMOS管的漏极；第六NMOS管的栅极连接到第四PMOS管的漏极同时连接到第一齐纳二极管的阴极；第四PMOS管的栅极连接到一个由电源电压在内部产生的偏置电压；第四PMOS管的源极连接到电源电压；第一齐纳二极管的阳极连接到地；第六NMOS管的源极连接到第一NPN管的集电极；第一NPN管的基极连接到第一电阻的一端；第一NPN管的发射极连接到地；第一电阻的另一端连接到第二电阻的一端同时连接到第四NMOS管的源端与第三电阻的一端、第四电阻的一端；第四电阻的另一端连接到地；第二电阻的另一端连接到第二NPN管的基极；第二NPN管的发射极连接到地；第二NPN管的集电极连接到第四NMOS管的栅极同时连接到第二PMOS管的漏极同时连接到第一二极管的阴极；第四NMOS管的漏极连接到由电源电压降压后产生用于内部的数字电源DVDD；第三电阻的另一端连接到第三NPN管的基极；第三NPN管的发射极连接到地；第三NPN管的集电极连接到第五NMOS管的源极同时连接到第一二极管的阳极和第五PMOS管的漏极；第五PMOS管的栅极连接到由电源电压降压后产生的低压偏置；第五PMOS管的源极连接到由电源电压降压后产生用于内部的模拟电源AVDD。

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