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龙图腾网获悉杭州电子科技大学申请的专利MEMS压电传感器系统三维封装结构及其散热方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116443806B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310287939.X，技术领域涉及：B81B7/02；该发明授权MEMS压电传感器系统三维封装结构及其散热方法是由李蓉;吴占彬;汪子悦;陆伟;翁佳豪;唐仁凯;张巨勇设计研发完成，并于2023-03-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本MEMS压电传感器系统三维封装结构及其散热方法在说明书摘要公布了：本发明公开了MEMS压电传感器系统三维封装结构及其散热方法，主要由盖帽、表面微结构、铜环、圆柱阵列以及置于盖帽内的水平延展平台、水平网状结构、陶瓷基板、MEMS芯片、压电薄膜、微型温度传感器、焊球和ASIC芯片组成。本发明将ASIC芯片区域的热量经水平网状结构和水平延展平台向盖帽水平传递；水平延展平台上垂直焊接的圆柱阵列使ASIC芯片区域的热量向上传导至铜环，铜环上焊接的表面微结构增加盖帽上表面的对流换热面积，加快对流换热效率；其中，MEMS芯片的环槽内位于ASIC芯片区域上方粘接的微型温度传感器对ASIC芯片区域的温度进行实时监测。

本发明授权MEMS压电传感器系统三维封装结构及其散热方法在权利要求书中公布了：1.MEMS压电传感器系统三维封装结构，包括盖帽以及置于盖帽内的陶瓷基板、MEMS芯片、压电薄膜和ASIC芯片，其特征在于：还包括表面微结构、铜环、圆柱阵列以及置于盖帽内的水平延展平台、水平网状结构、微型温度传感器和焊球；所述的陶瓷基板开设有中心槽口，并在中心槽口的侧壁开设有沿周向均布的n个安置槽，n≥3；每个安置槽内均嵌有水平延展平台；所述的水平网状结构焊接在陶瓷基板的中心槽口内，并与各水平延展平台的内端均焊接；水平网状结构的每个网孔内均设有一个焊球；所述焊球的底部与基板焊接，顶部与ASIC芯片焊接，各焊球外围填充有环氧树脂；ASIC芯片与基板通过各焊球通信；所述的MEMS芯片与陶瓷基板的上表面通过导热胶粘结，且MEMS芯片下表面通过玻璃真空密封；MEMS芯片的上表面开设有环槽，环槽内设有压电薄膜和两个微型温度传感器，且压电薄膜罩住两个微型温度传感器；压电薄膜的信号线穿过MEMS芯片上的硅通孔和玻璃上的玻璃通孔，与陶瓷基板内埋的导线连接；微型温度传感器位于ASIC芯片上方，微型温度传感器的信号线穿过玻璃上的玻璃通孔，与陶瓷基板内埋的导线连接；基板内埋的各导线连接ASIC芯片；盖帽的内侧壁与基板外侧壁焊接；盖帽的上表面开设有沉头式环形通槽，所述沉头式环形通槽两个不同宽度的槽段之间形成过渡台阶；铜环置于沉头式环形通槽的过渡台阶上，并与盖帽焊接；各水平延展平台均与铜环通过一个圆柱阵列连接；所述的圆柱阵列由等距布置的多个圆柱组成；圆柱的下表面焊接在水平延展平台上，上表面与铜环下表面焊接；铜环上焊接有表面微结构，表面微结构的上表面与盖帽上表面平齐。

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