复旦大学孟佳琳获国家专利权
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龙图腾网获悉复旦大学申请的专利一种仿生光电储备池神经形态器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115988953B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211603896.3，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权一种仿生光电储备池神经形态器件及其制备方法是由孟佳琳;王天宇;陈琳;孙清清;张卫设计研发完成，并于2022-12-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种仿生光电储备池神经形态器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种仿生光电储备池神经形态器件及其制备方法。该光电储备池神经形态器件包括：衬底；种子层，形成在所述衬底上；隔离层，形成在所述种子层上；氧化物纳米线网络，形成在所述隔离层表面，作为电子储备池，利用生长的氧化物纳米线随机排布的特性构建储备池中的神经元节点，借助氧化物纳米线的忆阻行为实现类人脑的随机相连的储备池神经元；具有光电响应的半导体量子点，生长在氧化物纳米线网络上，对其进行修饰，将器件的响应从纯电学拓展至光电响应，实现对光信号的感知功能；工作电极，生长在纳米线网络上。
本发明授权一种仿生光电储备池神经形态器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种仿生光电储备池神经形态器件制备方法，其特征在于， 包括以下步骤： 在衬底上形成种子层； 对所述种子层进行原位氧化处理形成隔离层； 在所述隔离层表面生长氧化物纳米线网络作为电子储备池，利用生长的氧化物纳米线随机排布的特性构建储备池中的神经元节点，借助氧化物纳米线的忆阻行为实现类人脑的随机相连的储备池神经元； 在氧化物纳米线网络上生长具有光电响应的半导体量子点对其进行修饰，将器件的响应从纯电学拓展至光电响应，实现对光信号的感知功能； 在纳米线网络上生长工作电极，获得仿生光电储备池神经形态器件。
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