哈尔滨工业大学田修波获国家专利权
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龙图腾网获悉哈尔滨工业大学申请的专利一种直流复合双极性脉冲进行细长管筒内磁控溅射的方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115786847B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211599296.4,技术领域涉及:C23C14/04;该发明授权一种直流复合双极性脉冲进行细长管筒内磁控溅射的方法是由田修波;胡天时;巩春志设计研发完成,并于2022-12-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种直流复合双极性脉冲进行细长管筒内磁控溅射的方法在说明书摘要公布了:一种直流复合双极性脉冲进行细长管筒内磁控溅射的方法,它属于磁控溅射镀膜领域。它解决了现有管筒件内放电难,稳定性差,膜层质量差的问题。本发明中待镀管和柱状靶分别接电源正极和负极,在二者之间进行二极放电。放电电源采用直流复合双极性脉冲电源,放电模式可在直流、脉冲、双极性脉冲以及直流复合双极性脉冲的放电模式中进行切换,通过直流部分增强放电稳定性和沉积速率;通过负脉冲放电增强离化,为后续正脉冲的牵引做准备;通过正脉冲牵引等离子体中离子加速向待镀管运动,对膜层进行轰击夯实,改善膜层质量,最终实现细长管筒内壁快速、高质量的磁控溅射膜层制备。本发明适用于细长管筒内壁磁控溅射镀膜领域。
本发明授权一种直流复合双极性脉冲进行细长管筒内磁控溅射的方法在权利要求书中公布了:1.一种直流复合双极性脉冲进行细长管筒内磁控溅射的方法,基于现有二级放电磁控溅射方法,其特征在于,磁控溅射过程中的电源采用直流复合双极性脉冲电源,所述直流复合双极性脉冲电源包括直流供电、负脉冲供电以及正脉冲供电三部分,可单独控制实现每部分的通断,三部分通过单片机结合半导体开关桥式电路进行控制,同一周期内负向脉冲和正向脉冲共同组成双极性脉冲,负向脉冲和正向脉冲交替分布,同一脉冲周期内可存在N个负向脉冲和M个正向脉冲,其中N=1,2,……,100;M=1,2,……,100,直流供电在双极性脉冲作用期间关断,在脉冲间歇导通; 所述直流供电的电流值范围为0.5-100A,供电电压范围为2000V; 所述双极性脉冲的正负脉冲脉宽和电压可进行单独控制,频率范围为100Hz-50kHz; 所述双极性脉冲的周期内首个脉冲为负脉冲,正负两种脉冲脉宽范围为50μs-1ms,电压范围为50-2000V; 所述方法包括以下步骤: 一、试样准备:待镀管依次采用丙酮和无水乙醇各超声清洗5-60min,取出后烘干,然后置于真空室内,与柱状靶同轴安装; 二、镀膜前预处理:真空室抽真空至气压到8×10-3Pa以下,进行10-60min加热烘干,再次抽真空至气压到8×10-3Pa以下,通入氩气至气压为0.5-10Pa,然后对待镀管内壁进行5-60min等离子体溅射清洗,得到预处理后的待镀管; 三、溅射镀膜:等离子体清洗结束后通入工作气体和反应气体的混合气体,打开电源,设置气体参数和电源参数,对预处理后的待镀管进行10-3000min磁控溅射镀膜; 其中步骤一中所述待镀管内径为15-2000mm,壁厚为0.1-100mm,材质为磁性或非磁性导电材料; 步骤一中所述柱状靶的靶管外径为8-100mm,材质为非磁性导电材料; 步骤三磁控溅射镀膜过程中柱状靶连接电源负极,预处理后的待镀管连接电源正极; 步骤三中所述工作气体为Ar;所述反应气体为N2、H2和O2中一种或几种气体; 步骤三中所述气体参数:气流量为1-3000sccm,气压为0.1-10Pa。
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