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龙图腾网获悉电子科技大学长三角研究院(湖州)申请的专利一种高激光损伤阈值熔石英元件的后处理方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116177891B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211541567.0，技术领域涉及：C03C15/00；该发明授权一种高激光损伤阈值熔石英元件的后处理方法是由黎波;向霞;邓洪祥;冯青屹;祖小涛设计研发完成，并于2022-12-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高激光损伤阈值熔石英元件的后处理方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高激光损伤阈值熔石英元件的后处理方法，具体操作流程为：首先采用大入射角离子束对熔石英元件表面进行刻蚀，去除元件表面的金属杂质缺陷和破碎型缺陷；离子束刻蚀后，对熔石英元件进行氧离子注入，引入氧离子，复合元件表面缺氧型结构缺陷；然后，对离子注入后的熔石英元件进行后续退火处理，以进一步消除元件表面甚至材料本身的缺氧型结构缺陷；最后采用去离子水和无水乙醇对熔石英元件进行超声清洁。本发明方法可弥补单一方法的局限性，同时能够系统和有效地消除诱导熔石英激光损伤的前驱体：金属杂质缺陷、破碎型缺陷以及缺氧型结构缺陷，显著地提升熔石英元件的抗激光损伤性能。

本发明授权一种高激光损伤阈值熔石英元件的后处理方法在权利要求书中公布了：1.一种高激光损伤阈值熔石英元件的后处理方法，其特征在于，包括有以下步骤： S1、离子束刻蚀：采用大角度离子束对熔石英元件表面进行刻蚀，去除元件表面的金属杂质缺陷和破碎型缺陷； S2、离子注入：对步骤S1离子束刻蚀后的熔石英元件表面进行氧离子注入，引入氧离子，复合缺氧型结构缺陷； S3、后退火处理：针对步骤S2离子注入后的熔石英元件，采用洁净的高温管式气氛炉对熔石英元件进行后续退火处理，进一步消除表面和材料本身的缺氧型缺陷； S4、熔石英元件清洗：分别采用去离子水和无水乙醇对步骤S3退火后的熔石英元件进行超声清洗，清洗时间均为30min，然后在洁净的环境中自然干燥； 步骤S1所采用的气体离子源为高纯氩气；离子束能量为100eV~1500eV；束流密度为0.28mAcm2~1.91mAcm2；离子束与熔石英基底法线的夹角为60o~90o；采用中和器提供带负电的电子来中和带正电的离子束，发射电子电流为100mA~900mA； 步骤S1为了保证均匀、有效的去除破碎型缺陷，刻蚀过程中，对熔石英元件进行旋转刻蚀；为了避免应力的产生，对熔石英元件进行间歇式刻蚀，即每刻蚀500nm深度，停止刻蚀10min。

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