无锡莱斯能特科技有限公司薛维佳获国家专利权
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龙图腾网获悉无锡莱斯能特科技有限公司申请的专利一种微流量传感器的设计与制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115218976B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210312884.9，技术领域涉及：G01F1/684；该发明授权一种微流量传感器的设计与制造方法是由薛维佳;王辉;卢友林设计研发完成，并于2022-09-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种微流量传感器的设计与制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种微流量传感器的设计与制造方法。其核心是热式微流量传感器的加热与测温元件的薄膜材料选择，以及传感器隔热腔体的制作。加热与测温元件的薄膜材料选用锑化铟薄膜材料替代传统的铂电阻材料，其相对传统铂材料制作的传感器具有更高的检测灵敏度和更低的制作成本，因此非常适用于微小流量的检测。
本发明授权一种微流量传感器的设计与制造方法在权利要求书中公布了：1.一种微流量传感器的设计与制造方法，包括基底、隔热空腔、加热元件和测温元件，其特征在于：所述加热元件和测温元件形成在具有一定厚度的基底膜上，基底膜悬空在空腔的上方； 制造方法如下： 先在基底正面指定区域内利用光刻工艺和干法刻蚀工艺形成槽结构；其中槽的形状和或深度根据实际需要调节，槽的投影是多边形，或圆形；所制作的槽结构的剖面结构为梯形； 利用热氧化工艺在槽内生长氧化层，相应的槽之间的硅岛的初始剖面形貌则为倒梯形； 利用HF或者BOE湿法腐蚀工艺去除氧化层，氧化层去除后，倒三角形硅岛的底部会形成间隙； 利用热氧化工艺再次生长氧化层，硅岛最终的剖面形貌是倒三角形； 利用低压力化学气相沉积法生长氧化硅膜并对槽进行封口从而形成空腔间隙上方起支撑作用的悬膜； 通过半导体薄膜蒸发工艺、光刻工艺、刻蚀工艺或剥离工艺来制作微流量传感器的加热与测温元件图形； 利用等离子体增强化学的气相沉积法生长钝化保护层。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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