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龙图腾网获悉西安水木芯邦半导体设计有限公司申请的专利基于耗尽型MOS管的全MOSFET低压带隙基准电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115268557B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211043445.9，技术领域涉及：G05F1/567；该发明授权基于耗尽型MOS管的全MOSFET低压带隙基准电路是由来新泉;周磊磊;李继生;席小玉设计研发完成，并于2022-08-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于耗尽型MOS管的全MOSFET低压带隙基准电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于耗尽型MOS管的全MOSFET低压带隙基准电路，包括PTAT电流单元1，补偿匹配单元2，电流镜单元3，电流镜单元4和CTAT电压单元5。PTAT电流单元1，用于产生一个与温度成正比的PTAT电流；补偿匹配单元2，用于产生一个匹配电流，对PTAT电流进行噪声消除；电流镜单元3，用于将PATA电流单元产生的与温度成正比的电流进行复制；电流镜单元4，用于将补偿匹配单元2产生的匹配电流进行复制；CTAT电压单元5，用于产生一个具有负温度系数的电压。本发明利用一个耗尽型NMOS管产生PTAT电流，适用于高频电路，且无需栅极偏置，电路结构简单。并且采用全MOSFET电路结构，工艺兼容性好。本发明适用于低带隙电压输出和高频电路设计场合。

本发明授权基于耗尽型MOS管的全MOSFET低压带隙基准电路在权利要求书中公布了：1.基于耗尽型MOS管的全MOSFET低压带隙基准电路，其特征在于它包括PTAT电流单元1，补偿匹配单元2，第一电流镜单元3，第二电流镜单元4和CTAT电压单元5； 所述PTAT电流单元1，用于产生一个与温度正比的PTAT电流，输出正温度系数电流IPTAT；它包括第一耗尽型NMOS管MN1，所述MN1的栅极、源极和衬底均接GND，其漏极输出正温度系数电流IPTAT； 所述补偿匹配单元2，用于产生一个匹配电流Imatch，对PTAT电流进行噪声消除；它包括第二耗尽型NMOS管MN2；所述MN2的栅极、源极和衬底均接GND，其漏极输出匹配电流Imatch； 所述第一电流镜单元3，用于对PTAT电流单元1输出的正温度系数电流IPTAT进行复制，并输出复制电流IBAK至第二电流镜单元4；所述第一电流镜单元3包括第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2、第三PMOS管MP3、第四PMOS管MP4和第一电阻R1，共同构成自偏置的低压共源共栅电流镜结构；其中：所述MP1和MP2的源极共同连接并作为第一输入端连接电源VDD，其栅极相连并连接至MP3的漏极和R1的一端；MP1的漏极连接MP3的源极，MP2的漏极连接MP4的源极；所述MP3和MP4，其栅极相连并连接R1的另一端并作为第二输入端连接正温度系数电流IPTAT；MP4的漏极作为输出端输出复制电流IBAK； 所述第二电流镜单元4，用于将补偿匹配单元2产生的匹配电流进行复制，并提供给CTAT电压单元5；所述第二电流镜单元4包括第五PMOS管MP5、第六PMOS管MP6；所述MP5和MP6的源极共同连接并作为第一输入端连接复制电流IBAK，其栅极相连并连接至MP5的漏极并作为第二输入端连接匹配电流Imatch；所述MP6的漏极作为输出端输出信号至CTAT电压单元5； 所述CTAT电压单元5，用于产生一个具有负温度系数的电压VREF；所述CTAT电压单元5包括第三NMOS管MN3；其中：所述MN3，其栅极、漏极和第二电流镜单元4中MP6的漏极相连，作为带隙基准电路的输出端，其源极接GND。

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