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龙图腾网获悉西安理工大学申请的专利多电源域静电放电保护电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115377954B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211021147.X，技术领域涉及：H02H9/00；该发明授权多电源域静电放电保护电路是由杨兆年;高攀琪;张航;齐长林;杨潇涵设计研发完成，并于2022-08-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本多电源域静电放电保护电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种多电源域静电放电保护电路，由箝位电路二、缓冲器二、箝位电路四、缓冲器四连接而成，缓冲器四中由NMOS晶体管Mn24和PMOS晶体管Mp23共同组成一个反相器，NMOS晶体管Mn24的源极与VSS2相连，栅极与节点24相连，漏极与PMOS晶体管Mp23的漏极相连；PMOS晶体管Mp23的源极与VDD2相连，栅极与节点24相连，漏极与NMOS晶体管Mn24的漏极相连并且连接点记为节点25；另由NMOS晶体管Mn21和PMOS晶体管Mp21组成缓冲器四中的第一级反相器。本发明的结构，使得晶体管发生栅源击穿的风险降低、ESD保护效果增强。

本发明授权多电源域静电放电保护电路在权利要求书中公布了：1.一种多电源域静电放电保护电路，其特征在于：由箝位电路二、缓冲器二、箝位电路四、缓冲器四连接而成，具体连接方式是， 所述的箝位电路二包括第一RC网络、第一反相器和第一放电管，其中，第一RC网络由电容C1和电阻R1串联而成，电容C1的一端与VSS1相连，电容C1的另一端与电阻R1相连，电阻R1的另一端与VDD1相连，电容C1和电阻R1的公共连接点记为节点13；第一反相器由NMOS晶体管Mn13和PMOS晶体管Mp13组成，NMOS晶体管Mn13的源极与VSS1相连，栅极与节点13相连，漏极与PMOS晶体管Mp13的漏极相连并记为节点14；PMOS晶体管Mp13的源极与VDD1相连，栅极与节点13相连，漏极与NMOS晶体管Mn13的漏极相连；第一放电管采用NMOS晶体管Mn14，NMOS晶体管Mn14的源极与VSS1相连，漏极与VDD1相连，栅极与节点14连接； 所述的缓冲器二包括若干个反相器，当设置为两级反相器时，即NMOS晶体管Mn12和PMOS晶体管Mp12组成缓冲器二中的倒数第二级反相器，NMOS晶体管Mn12的源极与节点14相连，栅极与内部电路一的输出信号相连并记为节点11，漏极与PMOS晶体管Mp12的漏极相连并记为节点12；PMOS晶体管Mp12的源极与VDD1相连，栅极与NMOS晶体管Mn12的栅极相连，漏极与节点12相连；同时，NMOS晶体管Mn11和PMOS晶体管Mp11组成缓冲器二中的最后一级反相器，NMOS晶体管Mn11的源极与VSS1相连，栅极与节点12相连，漏极与PMOS晶体管Mp11的漏极相连并记为节点21，作为电源域一的输出信号，输出给电源域二的缓冲器四；PMOS晶体管Mp11的源极与VDD1相连，栅极与节点12相连，漏极与节点21相连；PMOS晶体管Mp14的源极与VDD1相连，栅极与节点13相连，漏极与节点12相连； 所述的箝位电路四包括第二RC网络、第二反相器和第二放电管，其中，第二RC网络由电容C2和电阻R2串联而成，电容C2的一端与VSS2相连，电容C2的另一端与电阻R2相连，电阻R2的另一端与VDD2相连，电容C2和电阻R2的公共连接点记为节点23；第二反相器由NMOS晶体管Mn22和PMOS晶体管Mp22组成，NMOS晶体管Mn22的源极与VSS2相连，栅极与节点23相连，漏极与PMOS晶体管Mp22的漏极相连并记为节点24；PMOS晶体管Mp22的源极与VDD2相连，栅极与节点23相连，漏极与NMOS晶体管Mn22的漏极相连；第二放电管采用NMOS晶体管Mn23，NMOS晶体管Mn23的源极与VSS2相连，漏极与VDD2相连，栅极与节点24连接； 缓冲器四包括若干个反相器，其中由NMOS晶体管Mn24和PMOS晶体管Mp23共同组成一个反相器，NMOS晶体管Mn24的源极与VSS2相连，栅极与节点24相连，漏极与PMOS晶体管Mp23的漏极相连；PMOS晶体管Mp23的源极与VDD2相连，栅极与节点24相连，漏极与NMOS晶体管Mn24的漏极相连并且连接点记为节点25；另由NMOS晶体管Mn21和PMOS晶体管Mp21组成缓冲器四中的第一级反相器，NMOS晶体管Mn21的源极与VSS2相连，栅极与电源域一输出的节点21相连，漏极与PMOS晶体管Mp21的漏极相连；PMOS晶体管Mp21的源极与节点25相连，栅极与节点21相连，漏极与NMOS晶体管Mn21的漏极相连。

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