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龙图腾网获悉西北工业大学申请的专利一种通过界面优化的钙钛矿核辐射探测器及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115863448B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210973241.9，技术领域涉及：H10F77/30；该发明授权一种通过界面优化的钙钛矿核辐射探测器及制备方法是由徐亚东;郝莹莹;张鑫;白蕊沉;李芳沛设计研发完成，并于2022-08-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种通过界面优化的钙钛矿核辐射探测器及制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种通过界面优化的钙钛矿核辐射探测器及制备方法，其特征在于：钙钛矿晶体的一侧设有LiF中间层，LiF中间层之上为金属阳极且与钙钛矿晶体形成肖特基接触；所述钙钛矿晶体的另一侧为金属阴极且与钙钛矿晶体形成欧姆接触。通过在P型钙钛矿晶体与低功函数金属阳极之间引入氟化锂LiF中间层，钝化钙钛矿晶体表面，避免钙钛矿晶体与金属发生扩散或化学反应，从而降低界面缺陷态密度，提高探测器的电荷收集效率，同时LiF中间层使界面处的肖特基势垒高度增大，降低探测器的漏电流，从而提高探测器对带电粒子和高能射线的能量分辨能力。

本发明授权一种通过界面优化的钙钛矿核辐射探测器及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种通过界面优化的钙钛矿核辐射探测器的制备方法，其特征在于：钙钛矿晶体的一侧设有LiF中间层，LiF中间层之上为金属阳极且与钙钛矿晶体（3）形成肖特基接触；所述钙钛矿晶体的另一侧为金属阴极且与钙钛矿晶体（3）形成欧姆接触； 该钙钛矿核辐射探测器制备过程包括： 步骤1、在钙钛矿晶体（3）的其中一面制备LiF中间层（2）：采用真空蒸镀的方法，蒸镀时真空度保持在5×10-3Pa以下，蒸发舟为#308型号钨舟，蒸发电流为25~40A，蒸发材料为LiF晶体颗粒或粉末，蒸发材料的质量为0.3~3.0mg，得到LiF中间层； 步骤2：在LiF中间层（2）之上，选择低功函数金属，采用真空蒸镀法或溅射法制备金属阳极（1），与钙钛矿晶体（3）形成肖特基接触； 步骤3：在钙钛矿晶体（3）的另一面，选择高功函数金属，采用真空蒸镀法或溅射法制备金属阴极（4）； 步骤4：使用碳胶将金属阴极4连接到陶瓷基PCB板的S端，金属阳极（1）连接到陶瓷基PCB板的G端，以便后续测试与使用； 所述钙钛矿晶体的制备是：采用P型的钙钛矿晶体（3），采用熔体法或溶液法生长的CsPbBr3全无机钙钛矿晶体、溶液法生长的MAPbBr3有机无机杂化钙钛矿晶体或溶液法生长的FAPbBr3有机无机杂化钙钛矿晶体，晶体厚度为1~5mm； 所述金属阳极为低功函数金属为铟In、铝Al、锡Sn或镓Ga； 所述金属阴极为高功函数金属为金Au、铂Pt或铬Cr； 所述LiF中间层的厚度为5~40nm； 所述金属阳极厚度为60~80nm； 所述金属阴极厚度为40~90nm； 所述步骤1之前，采用机械磨抛的方式对钙钛矿晶体（3）的表面进行平整和光滑处理，使用不同粒度的SiC砂纸逐步进行1~3min磨抛，顺序分别为3000#、5000#、7000#和9000#，使钙钛矿晶体（3）表面平整且无切割损伤层，后将钙钛矿晶体（3）在抛光布上，并使用粒径约50nm的MgO粉末为磨料进行抛光，并逐次滴加1~2ml无水乙醇，直至钙钛矿晶体（3）表面光亮且无划痕； 所述机械磨抛的方式后，将磨抛后的钙钛矿晶体（3）浸泡在环己烷中超声1~30min，清洗钙钛矿晶体（3）表面残留的MgO粉末，随后在紫外臭氧机中放置5~20min，清洁钙钛矿晶体（3）表面附着的有机物。

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