南京芯惠半导体有限公司刘琦获国家专利权
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龙图腾网获悉南京芯惠半导体有限公司申请的专利一种垂直型霍尔器件阵列及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115172406B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210966491.X，技术领域涉及：H10N59/00；该发明授权一种垂直型霍尔器件阵列及制备方法是由刘琦;杨建;曹珂设计研发完成，并于2022-08-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种垂直型霍尔器件阵列及制备方法在说明书摘要公布了：一种垂直型霍尔器件阵列及制备方法，所述垂直型霍尔器件阵列，包括：P型衬底；设置在所述P型衬底上的N型阱；槽隔离结构，设置在所述N型阱表面；多个垂直型霍尔器件，等间距分布在所述N型阱上；多个所述垂直霍尔器件之间采用交替互联法相连接。本申请的垂直型霍尔器件阵列及制备方法，提高了器件的磁感应的测量精度和垂直霍尔器件工作状态的稳定性，同时能够有效的降低垂直霍尔阵列的面积，降低磁感应区域的面积，提高霍尔芯片的集成度。
本发明授权一种垂直型霍尔器件阵列及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种垂直型霍尔器件阵列，其特征在于，包括， P型衬底； 设置在所述P型衬底上的N型阱； 槽隔离结构，设置在所述N型阱表面； 多个垂直型霍尔器件，等间距分布在所述N型阱上； 多个所述垂直型霍尔器件之间采用交替互联法相连接； 还包括，设置在所述N型阱底部的N型埋层，以及位于所述N型埋层的上方的端口结构。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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