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龙图腾网获悉南京芯惠半导体有限公司申请的专利具有埋层漂移区的高压PLDMOS器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115172465B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210966492.4，技术领域涉及：H10D30/65；该发明授权具有埋层漂移区的高压PLDMOS器件及其制备方法是由刘琦;杨建;曹珂设计研发完成，并于2022-08-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有埋层漂移区的高压PLDMOS器件及其制备方法在说明书摘要公布了：一种具有埋层漂移区的高压PLDMOS器件，包括：P型衬底；N型埋层，位于所述P型衬底上；P型埋层，位于所述N型埋层上；P型外延层，位于所述P型衬底、所述N型埋层、所述P型埋层上；高压N型阱区、N型体区、P型阱区、P型缓冲层，分别位于所述P型外延层上；第一阴极P型重掺杂区，位于所述P型阱区上并与漏极连接；第二阴极P型重掺杂区，位于所述P型缓冲层上并与所述P型衬底连接；位于所述N型体区上的阳极P型重掺杂区和阳极N型重掺杂区短接并与源极连接；场效应氧化层，位于所述第一阴极P型重掺杂区和所述阳极P型重掺杂区之间；多晶硅栅极，位于所述阳极P型重掺杂区与所述场效应氧化层之间区域上方，并与栅极连接。

本发明授权具有埋层漂移区的高压PLDMOS器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有埋层漂移区的高压PLDMOS器件，其特征在于，包括：P型衬底；N型埋层，位于所述P型衬底上；P型埋层，位于所述N型埋层上；P型外延层，位于所述P型衬底、所述N型埋层、所述P型埋层上；高压N型阱区、N型体区、P型阱区、P型缓冲层，分别位于所述P型外延层上；第一阴极P型重掺杂区，位于所述P型阱区上并与漏极连接；第二阴极P型重掺杂区，位于所述P型缓冲层上并与所述P型衬底连接；位于所述N型体区上的阳极P型重掺杂区和阳极N型重掺杂区短接并与源极连接；场效应氧化层，位于所述第一阴极P型重掺杂区和所述阳极P型重掺杂区之间；多晶硅栅极，位于所述阳极P型重掺杂区与所述场效应氧化层之间区域上方，并与栅极连接； 所述高压N型阱区，包括：第一高压N型阱区和第二高压N型阱区；所述P型阱区，包括：第一P型阱区和第二P型阱区；所述第一高压N型阱区，位于所述P型缓冲层和所述第一P型阱区之间；所述第二高压N型阱区位于所述第一P型阱区和所述第二P型阱区之间；所述第一P型阱区，位于所述第一高压N型阱区和第二高压N型阱区之间；所述第二P型阱区，位于所述第二高压N型阱区和所述N型体区之间。

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