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龙图腾网获悉佛山市国星半导体技术有限公司申请的专利GaN基蓝绿光二极管外延结构及其制备方法、LED获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115332405B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210959724.3，技术领域涉及：H10H20/812；该发明授权GaN基蓝绿光二极管外延结构及其制备方法、LED是由胡清富;徐亮;张文燕;邓宝平;阮钇设计研发完成，并于2022-08-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本GaN基蓝绿光二极管外延结构及其制备方法、LED在说明书摘要公布了：本发明公开了GaN基蓝绿光二极管外延结构及其制备方法、LED，涉及光电子制造技术领域。其中，蓝绿光二极管的制备方法为：在衬底上依次生长第一AlGaN层、第二AlGaN层、非掺杂GaN层、u‑GaN层、n‑GaN层、多量子阱层、低温p‑GaN层、p‑AlGaN层、高温p‑GaN层、p‑GaN接触层；最后在600‑900℃退火处理3～15min，即得。其中，第一AlGaN层的生长温度为500‑900℃，生长压力为100‑600Torr，VⅢ比为50‑1000；第二AlGaN层的生长温度为800‑1000℃，生长压力为200‑500Torr，VⅢ比为500‑2500。实施本发明，可提高发光二极管的抗静电强度和发光强度。

本发明授权GaN基蓝绿光二极管外延结构及其制备方法、LED在权利要求书中公布了：1.一种GaN基蓝绿光二极管外延结构的制备方法，其特征在于，包括： 1提供衬底，所述衬底为蓝宝石衬底； 2在所述衬底上生长第一AlGaN层；其中，第一AlGaN层的生长温度为500-900℃，生长压力为100-600Torr，VⅢ比为50-1000；其厚度为10-300nm； 3在所述第一AlGaN层上生长第二AlGaN层；其中，第二AlGaN层的生长温度为800-1000℃，生长压力为200-500Torr，VⅢ比为500-2500；其厚度为10-300nm；所述第二AlGaN层是2-10个周期的AlGaNGaN超晶格结构，AlGaN厚度为5-10nm，Al组分为2％-5％，GaN厚度为10-20nm； 4在所述第二AlGaN层上生长非掺杂GaN层；其中，非掺杂GaN层的生长温度为900-1100℃，生长压力为200-500Torr，VⅢ比为500-2500；其厚度为0.5-1.5μm； 5在所述非掺杂GaN层上生长u-GaN层； 6在所述u-GaN层上生长n-GaN层； 7在所述n-GaN层上生长多量子阱层； 8在所述多量子阱层上生长低温p-GaN层； 9在所述低温p-GaN层上生长p-AlGaN层； 10在所述p-AlGaN层上生长高温p-GaN层； 11在所述高温p-GaN层上生长p-GaN接触层； 12将步骤11得到的衬底在600-900℃退火处理3～15min，即得到GaN基蓝绿光二极管外延结构成品。

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