武汉工程大学严敏获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉工程大学申请的专利双层有序垂直介孔薄膜修饰的金属锂负极及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115188923B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210917859.3，技术领域涉及：H01M4/134；该发明授权双层有序垂直介孔薄膜修饰的金属锂负极及其制备方法和应用是由严敏;王照云;於国伟;刘治田设计研发完成，并于2022-08-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本双层有序垂直介孔薄膜修饰的金属锂负极及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种双层有序垂直介孔薄膜修饰的金属锂负极及其制备方法和应用。该双层有序垂直介孔薄膜修饰的金属锂负极，包括依次叠层设置的大孔单层有序垂直介孔薄膜、小孔单层有序垂直介孔薄膜和金属锂层。本发明通过在金属锂层表面依次设置小孔单层有序垂直介孔薄膜和大孔单层有序垂直介孔薄膜，能够对锂负极在充放电过程的锂离子输运行为进行调节，引导均匀的锂沉积，可以有效的抑制锂枝晶的生长，解决现有技术中金属锂沉积中锂枝晶生长的问题，从而使得金属锂负极在使用中的循环稳定性明显增加，安全性大大提高。
本发明授权双层有序垂直介孔薄膜修饰的金属锂负极及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种双层有序垂直介孔薄膜修饰的金属锂负极，其特征在于，包括依次叠层设置的大孔单层有序垂直介孔薄膜、小孔单层有序垂直介孔薄膜和金属锂层；其中，所述大孔单层有序垂直介孔薄膜和小孔单层有序垂直介孔薄膜的材料为二氧化硅。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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